碳纳米管小孔径互连以与相关工艺的分析.pdfVIP

摘要 随着集成电路的飞速发展，布线密度的急剧增加，互连线将要承载高达107A／cm2 的电流密度。导致铜互连线上的RC延迟增大，散热能力减弱，电迁移现象严重，大大 影响了芯片的可靠性。由于碳纳米管具备高达1010A／era2的超高电流密度承载能力，优 良的热传导特性以及很高的抗电迁移稳定特性。被认为在未来集成电路领域中，最有可 能替代铜互连线的新型材料。然而碳纳米管的生长模式使得其末端封闭，形成了很高的 固有电阻率以及较大的电极间接触电阻等缺陷。同时，碳纳米管在通孔中的生长机理也 不是十分的明确。这些问题都在很大程度上妨碍了碳纳米管应用于集成电路的互连。 本文尝试了利用聚焦离子束来实现碳纳米管通孔互连结构并改善其导电特性。首先， 通过电流．深度终点检测曲线，利用干法刻蚀，实现了最小孔径为2lam的介质层通孔阵 列。对比了两种集成电路主流互连材料铝和铜在碳纳米管互连中的优势与不足。并在铜 电极上利用50nnl的铝作为缓冲层，有效地解决了铜离子扩散对催化剂的污染问题，在 通孔内得到了高密度、高定向性的碳纳米管。并设计了便于测试的顶电极结构。为碳纳 米管通孔互连结构的电学表征，提供了良好的保证。 其次，采用聚焦离子束切割碳纳米管顶端的方法，对其导电特性进行了改良。探