第三章 带间跃迁吸收与发射光谱.ppt

3.1 带间光吸收的实验规律 吸收边 幂指数区(1/2, 3/2, 2) e指数区 弱吸收区 相互作用哈密顿量 辐射场(光场) 矢量势 标量势? 哈密顿量 电子动量:在光场作用下为 相互作用哈密顿量 联合态密度和临界点 联合态密度 临界点方程 布区高对称点 ?KEC(K) =?KEV(K)=0 布区高对称线 ?KEc(K)??KEv(K)=0 宇称选择定则 跃迁矩阵元 取 长波近似） 电偶极跃迁矩阵元及选择定则 带内跃迁 导带自由电子的吸收（激发） p :1.5到3.5 特点:随l单调上升,无精细结构 Drude 模型 无辐射跃迁 位型坐标模型 (Configuration Coordinate) PL---带间直接复合与间接复合发光 单位体积，单位时间内的总复合速率 双分子规律 n = p = ni , 光生本征载流子电荷平衡 Wem复合几率 GaAs, GaSb: 1-10 x 10-10 cm3 s-1 Si, Ge, GaP:0.2-5x10-14 cm3 s-1 复合截面 LED GaN LED 蓝色LED: 430nm, 4V, 20mA, (S.Nakamura, et al., Jpn JAP, 30, (91), 1998. 起源于n-层电子注入p-层与Mg等杂质相关的发光中心上空穴复合； UV-GaN LED, 3.35eV (370nm),起源于p-层空穴注入到本征n-层的复合； 2.9eV( 430)： n-层电子注入p-层与Mg杂质发光中心上空穴复合；（I.Asakaki, et al., J. Lumines. 48/49,(91)666 其中利用 即 例，对反演对称体系，若价带波函数为偶函数，则导带波函数为 奇函数，允许 偶函数，禁戒 取 电四极跃迁矩阵元及选择定则 即 3.9 激发态载流子的可能运动方式 带内跃迁 子带间跃迁 晶格驰豫(Relaxation) 电子—声子相互作用 导带电子热均化(Thermalization) 无辐射复合 (Non-radiative Recombination) 多声子发射，电子回到基态 俄歇（Auger)过程 通过杂质与缺陷态的无辐射复合 辐射复合(Radiative Recombination) 带内子能谷之间的跃迁 P型半导体价带内的跃迁 (a)? V2 ? V1 (b)? V3 ? V1 (c)? V3 ? V2 导带子能谷间的跃迁 K 相同子能谷之间的跃迁 K 不同子能谷之间的跃迁 声子的参与 ?p 价带内的跃迁 K 相同子能谷间跃迁 K E ?n X ? 不同K子能谷间跃迁 N-GaP导带中能谷间的跃迁 特点:吸收强度与掺杂浓度成正比,峰位也相应改变 弛豫（Relaxation） 弛豫：非平衡态—平衡态的过渡 晶格弛豫：电子—声子相互作用 热均化(Thermalization), 速率：1010/s(声学声子)—1013/s (光学声子) 声子参与的无辐射跃迁 E K 0 Eg A B D 位型坐标模型 激发态位型 基态位型 激活能 A’ E AA’—吸收(激发) A’B —弛豫 BD—辐射复合 DA —弛豫 A’BCD —无辐射多声子弛豫 多声子弛豫 电子和离子晶格振动总能量与离子平均位置的物理模型 无辐射跃迁 Auger过程 (a), (b)---本征半导体 (c),(d), (e)--- N-型半导体 (f), (g), (h)---P-型半导体 (i), (j), (k),(l), 3.10 带间复合发光 发光按激发方式的分类 光致发光(Photoluminescence, 简称PL) 电致发光(Electroluminescence 简称EL也叫做场致发光) 荧光：物质受激发时的发光 磷光：激发停止后的发光 阴极射线发光(Chathodoluminescence, CL) X射线及高能粒子发光 生物发光(Bioluminescence) 化学发光(Chemiluminescence) 热释光(Thermoluminescence, TL) 机械发光(Mechanoluminescence),摩擦发光(Triboluminescence) 溶剂发光(Lyoluminescence) 本征型 注入式(p-n节) 10-8s 10-8s 目前，已无本质区别 说明物质激发到发光