微电子器件第二章.pptxVIP

; 突变结：P 区与 N 区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面（x = 0）处发生突变。当一侧的浓度远大于另一侧时，称为 单边突变结，分别记为 PN+ 单边突变结和 P+N 单边突变结。; 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 ;;; 耗尽近似：假设空间电荷区内的载流子完全扩散掉，即完全耗尽，空间电荷完全由电离杂质提供。这时空间电荷区又可称为“耗尽区”。; 对于 突变结，当采用耗尽近似后，在 N 区的耗尽区中，泊松方程为; 在 x = 0 处，内建电场达到最大值，; 对内建电场作积分可得 内建电势（也称为 扩散电势）Vbi ; 最后可得;;; ;; 内建电势 Vbi 为; PN 结在正向电压下电流很大 ，在反向电压下电流很小 ，这说明 PN 结具有单向导电性，可作为二极管使用。 ;; 势???高度降低后不能再阻止 N 区电子向 P 区的扩散 及 P 区空穴向 N 区的扩散，于是形成正向电流 。由于正向电流的电荷来源是多子，所以正向电流很大。;;; 多子面临的势垒提高了，更不能扩散到对方区域中去了，但少子面临的势阱也更深了，所以更容易被反向电场拉入