施主杂质的电离能.ppt

d.负离子填隙 产生负电中心，起受主作用 负离子空位 产生正电中心，起施主作用 正离子填隙 正离子空位 负离子填隙 产生负电中心，起受主作用 Vacancy defect Interstitial defect Frenkel defect 空位表现为 受主作用 间隙表现为 施主作用 间隙和空位 成对出现 有空位而无间隙 原子-肖特基缺陷 点缺陷（Point Defects） 第四章 晶体中的缺陷和扩散 §4.1 晶格缺陷的主要类型 一、点缺陷 点缺陷：晶体中偏离晶格周期性的现象仅局限在格点附近 一个或几个晶格常数范围内 1. 空位（Schottky缺陷） 2. Frenkel缺陷 空位——间隙原子对称为Frenkel缺陷。在Frenkel缺陷中，空位与间隙原子总是成对出现的 空位（ Schottky缺陷）和Frenkel缺陷的成因都是由于晶格原子的热振动，故称为热缺陷 形成一个Frenkel缺陷要比形成一个空位所需的能量多些，因而也更难些 3. 杂质原子 当晶体中的杂质以原子状态在晶体中形成点缺陷时，称为杂质原子 替位式杂质（代位式杂质） K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ K＋ Cl－ Ca2＋ 填隙式杂质 缺位式杂质 4. 色心 Na＋ Cl－ Na＋ Cl－ Na＋ Cl－ Cl－ Na＋ Cl－ Na＋ Cl－ Na＋ Na＋ Cl－ Na＋ Na＋ Cl－ Cl－ Na＋ Cl－ Na＋ Cl－ Na＋ Na＋ Cl－ Cl－ Na＋ Cl－ Cl－ Na＋ Cl－ Na＋ Cl－ Na＋ Na Na＋ -e 色心的产生 如将NaCl晶体放在Na金属蒸气中加热，再骤冷至 室温，就可在NaCl晶体中产生色心 用X射线或 ? 射线辐照、用中子或电子轰击晶体 二、线缺陷 E F A B 螺位错： 刃位错： 常见的面缺陷：晶粒间界、挛晶界、小角晶界和层错等 三、面缺陷 层错：晶体中的某个原子层发生堆积错误 fcc晶体中的正常堆积次序：···ABCABC ··· 体缺陷，如：空洞、气泡和包裹物等 fcc晶体中的层错: ···ABCABABC ··· 3）错位原子 在化合物半导体中，还存在着另一种点缺陷，称为错位原子。 二元化合物中的错位原子 这类缺陷在离子性较强的化合物中存在的几率很小 2、位错 1）位错的施受主作用 （a）棱位错 ( b) 受主作用 （c）施主作用 悬挂键有可能俘获一个电子，使原子E成为负电中心，起受主作用，这时整个位错线构成一串受主；悬挂键也有可能释放未配对的价电子成为正电中心，起施主作用，于是整条位错线构成一串施主。 位错线 2）位错引起能带畸变 位错对半导体性能的更大影响还在于通过它引起的晶格畸变引起材料局部能带结构的畸变。理论指出，晶体形变时，其导带底EC和价带顶EV的改变可分别表示为 禁带宽度的变化为 线位错（在一条线附近原子的排列偏离了严格的周期性） 面位错（在一个面附近原子的排列偏离了严格的周期性） - - 棱位错的能级及其对晶体能带的畸变 晶体的禁带宽度在晶格伸张区减小，在晶格压缩区增大。由于棱位错的下方是晶格伸张区，上方晶格压缩区，所以位错附近能带就会发生如上图所示的畸变。 §2.2 典型半导体中的杂质和缺陷能级 一、硅、锗晶体中的杂质能级 1、浅能级 硅、锗晶体中常用的浅施主杂质有P、As、Sb，浅受主杂质有B、Al、Ga、In。这些杂质的电离能在禁带较宽的硅中大约是0.04－0.05eV，在锗中大约是0.01eV左右。 2、深能级 硅晶体中由非III、非V族杂质（包括Ⅲ族元素铟和铊）产生的深能级如图所示。锗晶体深能级可参见参考书图2-9。在这两个图中，禁带中线以上的能级标注的是与导带底的距离，禁