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avalanche reducethe ofavalanche on
ruggedness，andsensitivity ruggednesstemperature．
The resultsof characteristicandavalanche ofTPMOS
study hightemperature ruggedness
and diodehavereferencevalueto the andfailuremechanism
reliability of
body analyze power
MOSFET at
operationhightemperature．
and
diode；trench
Keywords：powerMOSFET；body planargate；failure
ruggedness
IV
目录
目录
l绪论………………………………………………………………………………………………………………………．．1
1．1功率MOSFET的发展概况………………………………………………………………1
1．2沟槽栅功率MOSFET的分类……………………………………………………………3
1．3本文主要工作……………………………………………………………………………4
2TPMOS的特性研究…………………………………………………………………………一5
2．1TPMOS结构特点与工作机理……………………………………………………………5
2．2
TPMOS高温特性分析……………………………………………………………………5
2．2．1高温对功率MOSFET特性参数的影响……………………………………………5
2．2．2
TPMOS高温特性模拟………………………………………………………………．7
2．2．3高温特性的比较……………………………………………………………………11
2．3
2．3．1结构特点………………………………………………………………………………12
3
2．3．2工作机理……………………………………………………………………………．1
2．3．2特性分析……………………………………………………………………………14
2．4
2．4．1导通特性……………………………………………………………………………20
2．4．2阻断特性……………………………………………………………………………20
2．4．3开关特性……………………………………………………………………………2l
2．4．4高温特性比较………………………………………………………………………．．21
2．5本章小结…………………………………………………………………………………22
3体二极管的特性研究………………………………………………………………………．23
3．1体二极管结构和工作机理………………………………………………………………23
3．2体二极管反向恢复特性………………………………………………………………．．23
3．3体二极管优化…………………………………………………………………………．．24
3．3．1阳极n+区结构………………………………………………………………………24
3．3．2接触区挖槽…………………………………………………………………………26
3．4温度对体二极管特性的影响…………………………………………………………．．28
3．4．1
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