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四、CCD传感器 优:转移效率大大提高。 缺:结构较为复杂。 隔列转移面阵CCD工作过程 四、CCD传感器 CCD的主要特性 量子效率( Quantum Efficiency )-阴极发射出的光电子数量与入射光光子的数量比,用以表示CCD在不同波长下的响应值 在同一波长下QE值越高CCD品质越好 CCD对于不同波长的光的响应时间的敏感度不同 背照式CCD比前照式CCD有更好的量子效率 四、CCD传感器 填充因子( Fill Factor )-CCD实际感光面积占像素面积的比值 理想值-100% 实际值-30%(隔行传输式CCD) 通过微型镜头(Microlenses)改善(但微型镜头的应用会影响紫外光的检测) 填充因子是影响灵敏度的一个因数 四、CCD传感器 井深(Well Capacity)-像素可堆积电荷的多少 多数CCD可堆积85K个电荷 高品质的CCD可堆积350K个电荷 影响灵敏度的一个因数 四、CCD传感器 数字化(Digitization)-模拟信号转换成数字信号 计算机运用2进制运算法则来将CCD采集的电信号转换成数字信号 12bit=4096;14bit=16384;16bit=65536 应用软件将运用一定的运算法则来决定最适合显示器灰度级别的数据 四、CCD传感器 暗电流(Dark Current , Dark Count) -CCD在一定温度下每个像素在一定时间内产生的电荷数 -暗噪音大约为暗电流的平方根 四、CCD传感器 信噪比( Signal to Noise Ratio ) -衡量信号及噪音的关系 -表征检测的限度(灵敏度) 噪音常常表现在电子元件传输或接收信号的时候 四、CCD传感器 CCD相机 主要参数 型号 MV-VS030FM/FC MV-VS045FC/FM MV-VS078FM/FC MV-VS120FM/FC 最高分辨率 640×480 780×582 1024×768 1280×960 像素尺寸 5.6μmx5.6μm 8.3μmx8.3μm 4.65μmx4.65μm 4.65μmx4.65μm 传感器类型 逐行扫描 CCD 传感器光学尺寸 1/4″ 1/2″ 1/3″ 1/2″ 帧速率 60fps 50fps 30fps 15fps 信噪比 大于52 dB 大于54 dB 数据位数 A/D: 10位, 输出: 8位 A/D:12位,输出:8/12位 A/D:10位,输出:8位 曝光方式 帧曝光 四、CCD传感器 曝光方式 帧曝光 I/O接口(可选) 数字I/O触发接口 3路数字I/O、触发接口 数字I/O触发接口 数字I/O触发接口 镜头装配接口 C/CS 接口 输出方式 FireWire IEEE1394A 供电要求 DC12V 同步方式 外触发或连续采集 可编程控制 图像尺寸、亮度、增益、帧率、曝光时间等 快门速度 1/10000到30 s 1/50000到2s 1/10000到30 s 工作温度 -10°C 到 45°C 0°C 到 50°C -10°C 到 45°C 存放温度 -20°C 到 60°C 尺寸:W*H*D(mm) 50.8×50.2×56.5 55.5*65*65(mm) 50.8×50.2×56.5 重量、功率 约265g、2.4W 约350g、3W 约265g、2.4W 第八节 热电式传感器 热电偶 热电阻 热敏电阻 一、热电偶 (一)、工作原理:热电效应 A、B两种不同的导体,组成闭合回路,若两个连接点处的温度(T,T0)不同,则在回路中产生电动势,形成热电流,这一现象称为热电效应。 A、B两根金属丝称为热电极,两个连接端中一个称为工作端,或热端(T),另外一个称为参考端,或冷端(T0) mA 在回路热电动势中,包含两部分:接触电势、温差电势 1、 接触电势 也称珀耳帖(Peltier)电势 A B T0 T 接触电势 A、B两种金属的自由电子浓度不同,假设A的自由电子浓度高。当接触时,A中的电子向B中扩散的多一些,从而使A带正电,B带负电,形成一个电场,在该电场的作用下,电子移动达到平衡,这时的电动势,称为接触电势。 一、热电偶 2、 温差电势 也称汤姆逊( Thomoson )电势 金属导体两端的温度不同,则其自由电子的浓度亦不相同,温度高的一端浓度较大(动能较大,大于逸出功的电子数目较多),因此高温端的自由电子将向低温端扩散,高温端失去电子带正电,低温端得到多余的电子带负电,从而形成温差电势差: A B T0 T 温差电势 T T0 一、热电偶 3、回路总电动势:接触电
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