微电子器件与IC设计CH4小结.pptx

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2019-07-17 发布于浙江
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微电子器件与IC设计CH4小结.pptx

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第四章小结;二、交流运用下，Tr.内载流子的传输会画载流子传输图（与直流比较）交流时存在两个PN结的电容效应;电容的充放电导致两方面的结果： 1）幅值变小； 2）相位延迟;?发射结交变信号VBEa ?? 发射结 ? 使得Tr.电;三、交流短路电流放大系数;2、共射极连接;3、提高 fT 的措施：;① fT;c) ?c ?? ? d;五、频率特性参数的相互关系;六、功率增益和高频优值;三、双极晶体管的开关特性;⑤ 每个过程的定义，时间长短与什么因素有关？关系如何？比较同一因素在不同时间的作用（影响）;d) 下降过程：基区积累电荷-Qb消失及发射结、集电结势垒电容的放电过程 2. 提高开关速度的措施影响开关速度的因素：内因：Tr结电容的充放电，电荷的储存和复合作用等，取决于材料、结构外因：外电路对Tr的驱动和抽取作用，取决于使用条件;3）缩短上升和下降时间（tr、 tf ）;??体管大电流特性：了解基本概念