微电子器件与IC设计CH6-1MOSFET.pdf

· 第六章 MOSFET • MOSFET ：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors • 又称绝缘栅场效应晶体管: Insulated Gate FET • 一般地，MISFET: Metal-Insulator-Semiconductor FET • 特点 ： BJT和FET的比较 BJT FET 电流控制器件 电压控制器件 双极器件 单极器件 依靠少子工作,噪声大 依靠多子工作,噪声低 输入阻抗低 输入阻抗高,利于直接耦合,输 入功耗小 温度稳定性差 温度稳定性好,具有零或负的 温度系数 工艺较复杂,集成度低 制造工艺较BJT简单,EMOS有 天然的隔离,集成度高 第六章 MOSFET • 6.1 MOS结构及其特性 • 6.2 MOSFET结构及工作原理 • 6.3 MOSFET阈值电压 • 6.4 MOSFET直流特性 • 6.5 MOSFET小信号特性 • 6.6 MOSFET开关特性 6.1 MOS结构及其特性 Al、掺杂多晶硅 SiO MOSFET 2 Si N MNOSFET 3 4 Al O MAOSFET 2 3 Si、Ge、SiC、InP 理想MOS结构 • 忽略金-半功函数差 • 忽略氧化层的可动离子和固 定电荷 • 忽略Si/SiO 界面态 2 • 氧化层中无电流流过,I ＝0 g 半导体表面的几种状态 B. 积累态 1) V V G FB 2) φ 0 S 3) - QG = Qacc 0 C. 耗尽态 1) V V V FB G T 2) 0 φ φ S F qφ ≡ (E −E ) F i F 体内 φ 费米势 ：本 F 征半导体与掺杂半导 3) - QG = Qd 0 体接触时在热平衡状 态下的接触电势 qϕ ≡ (E − E ) F i F 体内 kT N ϕ = ln A F q ni D. 强反型 1) φ ≥ 2