山东大学半导体物理第5章课件.pptVIP

§5–4 复合理论 recombination mechanism 俄歇复合 复合过程：电子由导带跃入价带，将能量传给导带 电子或价带空穴，使他们向高能级跃迁。 逆过程：价带电子吸收能量跃入导带 返回 §5–4 复合理论 recombination mechanism 复合过程：深能级杂质或缺陷→复合中心→产生局部 分立能级。通过这些能级间接复合。 逆过程：通过复合中心产生电子和空穴 。 又称复合中心复合 ⒊ 表面复合 复合中心处于表面，这种复合与表面器件有关。 如Mos、CCD器件。 属于间接复合 ▽关于复合过程中发射声子的讨论： 载流子能量传给晶格→振动↑,产生声子的最大能量 （ 为声子频率） 载流子发射多声子的过程似乎是不可理解的。 （见Smith §8.13） §5–4 复合理论 recombination mechanism 声子能量的实验数据： ，中译本 Ge中 Si中 §5–4 复合理论 recombination mechanism §5–4 复合理论 recombination mechanism §5–4 复合理论 recombination mechanism §5–4 复合理论 recombination mechanism §5–4 复合理论` recombination mechanism §5–4 复合理论 recombination mechanism §5–4 复合理论 recombination mechanism §5–4 复合理论 recombination mechanism * * 第五章 Chap.5 非平衡载流子 non-equilibrium carrier 1.非平衡载流子——非子 热平衡时，非简并半导体中载流子浓度满足 ： 当半导体受外界（光或电的）作用时热平衡被破坏。 外界作用稳定时，建立起新的平衡。 ， 在非平衡状态， (其中 称为非平衡载流子) 非简并热平衡状态判据式 非（热）平衡 非 平 衡 查看非平衡 载流子的产生 图5-1-1 光照产生非平衡载流子 返回 Chap.5 非平衡载流子 non-equilibrium carrier 热平衡状态 n型： —多子， —少子 非热平衡状态 n型：n —多子，p —少子 —非平衡多子， —非平衡少子 P型则相反。 2.研究非平衡载流子的意义： 半导体的行为(特征)与 有关。例如晶体管的放大作用就是发射区的多子注入基区成为基区的非平衡少子。又如：光敏特性与 密切相关。 多子 少子 多数载流子和少数载流子： Chap.5 非平衡载流子 non-equilibrium carrier 本章主要内容： （1）非子的产生、复合、寿命; （2）复合理论； （3）复合中心，陷阱中心； （4）爱因斯坦关系，非子的扩散规律。 Chap.5 非平衡载流子 non-equilibrium carrier §5–1 非平衡载流子的注入 §5–4 复合理论 §5–2 非平衡载流子的复合和寿命 §5–3 准费米能级 §5–5 陷阱复合中心理论 §5–6 非平衡少数载流子的扩散 §5–7 载流子的扩散与漂移运动，爱因斯坦方程 §5–8 （1）连续性方程 §5–8 （2）连续性方程的应用 本章学习 §5–1 非平衡载流子的注入 常用的注入方式→ 光注入；电注入。 非平衡载流子的注入 外界作用使半导体产生非平衡载流子的过程 。 1.光注入： 以光敏实验来说明光注入效应。 用短波光（能量﹥ ）照射样品，输出改变 。 图5-1-2 光注入引起附加光电导 §5–1 非平衡载流子的注入 解释：∵Rr，回路电流 附加电压 的出现，说明 r 的改变。 r 与 → →n、p 有关，而 即说明 表 明有非子的注入。 光激发产生非子的特点： 。 的关系： 设无光照（平衡）时，电导率为 ，光照时