二电力电子器件概述MicrosoftPowerPoint演示文稿.pptVIP

章电力电子器件概述 2.6电力场效应晶体管（MOSFET）  2.2功率二极管  2.3晶闸管  2.4可控开关的理想特征  2.5双极结型晶体管和达林顿管  2.1简介  2.7门极可关断晶闸管（GTO）  2.8绝缘栅双极晶体管（IGBT）  2.9MOS控制晶闸管（MCT）  2.10可控开关的比较  2.11驱动和吸收电路  2.12半导体功率器件的选择  2.1 简 介 第二章 电力电子器件概述 功率半导体器件的分类 功率二极管: 导通和关断均由电路潮流决定。 晶闸管: 在器件在承受正向电压时，由控制信号控制器件的导通，而关断状态由电路潮流决定。 可控开关 : 由控制信号控制器件的导通和关断。 不可控型 半可控型 全控型 第二章 电力电子器件概述 全控型电力电子器件 电力场效应晶体管（MOSFET） 双极结型晶体管（BJT） 门极可关断晶闸管（GTO ） 绝缘栅门极换流晶闸管（IGCT） 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.2 功率二极管 第二章 电力电子器件概述 2.2.1 功率二极管的基本特性 当功率二极管承受正向电压时，它的正向导通压降很小，大约在1V左右。 当功率二极管承受反向电压时，只有极小的漏电流可通过该器件。 第二章 电力电子器件概述 反向偏置电压超过这一额定值时，反向漏电流迅速增加。正常工作状态下，反向电