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* * * * * * * * * * * * * * * * * SiC材料的特性及应用 颜小琴 2004.11.15 SiC材料的发展史话 SiC材料的特性及应用 SiC材料的制备方法 小结 Silicon Carbide Technology(SiC) Why a new Technology? Si has served wonderfully well as a semiconductor for most applications Si devices fail to operate at high temperatures of around 300oC Since Si is a small band gap material, sufficiently high breakdown voltages cannot be applied SiC’s superior Performance SiC is especially useful for: High Temperature Environment High Radiation conditions High Voltage switching applications High power Microwave applications SiC is superior compared to Si because: It has exceptionally high Breakdown electric field Wide Band gap Energy High Thermal conductivity High carrier saturated velocity 起初Acheson错误地认为这种材料是C和Al的化合物，他的目的是想寻找一种材料能够代替金刚石和其他研磨材料，用于材料的切割和抛光，他发现这种单晶材料具有硬度大、熔点高等特性，于1893年申请了专利，将这种产品称为“Carborundum”。 开辟了SiC材料和器件研究的新纪元，此后，有关SiC的研究工作全面展开，并且于1958年在Boston召开了第一届SiC会议。 但是，Si技术的成功以及迅猛发展，使得人们对SiC的研究兴趣下降，这一时期的研究工作，即60年代中期到70年代中期，主要在前苏联进行，在西方一些国家，SiC的研究工作仅处于维持状态。 SiC材料的发展史话 1824年,瑞典科学家Berzelius(1779－1848)在人工合成金刚石的过程中就观察到了SiC； 1885年Acheson(1856－1931)首次生长出了SiC晶体(Carborundum)； 1905年，法国科学家Moissan(1852－1907)在美国Arizona的Dablo大峡谷陨石里发现了天然的SiC单晶(Moissanite)； 1907年，英国电子工程师Round(1881－1966)制造出了第一只SiC的电致发光二极管； SiC材料的发展史话 1955年，Lely发明了一种采用升华法生长出高质量单晶体的新方法；(转折点) 1978年，俄罗斯科学家Tairov和Tsvetkov发明了改良的Lely法以获得较大晶体的SiC生长技术；(里程碑) 1979年，成功制造出了SiC蓝色发光二极管； 1981年，Matsunami发明了Si衬底上生长单晶SiC的工艺技术，并在SiC领域引发了技术的高速发展； 1987年，Cree Research成立，成为了第一个销售SiC单晶衬底的美国公司。 SiC材料的特性及应用 Ⅰ.SiC for High Power,High Temperature Electronics ? Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC 4H-SiC 晶格常数(?) 5.43 5.65 4.3596 3.081 15.092 3.081 10.061 熔点(K) 1420 1235 2100 2100 2100 热稳定性 Good Fair Excellent Excellent Excellent 带宽(eV) 1.11 1.43 2.23 3.02 3.26 最高工作温度(K) 600 760 1250 1580 1580 电子迁移率(cm2\V·S) 1500 8500 1000 400 1140 空穴迁移率(cm2\V·S) 600 400 50 50 50 饱和电子速率(107cm\s) 1.0 1.0 2.2 2.0 2.0 临界电场(106V\cm) 0.3 0.6 2.0 3.2 3.0 介电