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超导体MgB 的晶核形成及生长过程研究_晶核生长 论文摘要：根据镁和硼的基本化学性质、杂化轨道理论、前线轨道理论和粉末反应理论，分析了粉末反应中MgB 晶核的形成及生长过程。这一过程可分为三步完成：1.两种粉粒碰撞接触后，做反相微幅受迫振动，这种振动产生晶核的形成及生长区；2.两个硼原子相遇，价轨道经sp 杂化后形成B ，镁原子的两个3s价电子填入B 的轨道形成键，生成MgB ，此即MgB 初始晶核；3.初始晶核以确定的杂化轨道平面方向，分别沿c轴和a轴相互接近反应，形成晶核沿a和c三个轴六个方向的生长，B 的键演化成共轭大img1键，镁处于硼层的六角中心，最终形成MgB 单晶晶粒。固-液界面处更有利于较大晶粒的形成。合成温度较高时晶粒较大，由初始晶核可能会形成MgB 和MgB 等。 论文关键词：杂化,晶核,晶核生长 引言 自从2001年日本Nagamatsu等发现MgB具有超导电性以来，已历十年，期间世界各国研究人员对MgB超导体进行了大量深入的研究，包括块材、薄膜、线（带）材和粉体样品的制备,各种替代元素和碳纳米管掺杂对转变温度的影响，同位素效应，Hall效应，热力学特性的研究，临界电流和磁场的关系以及隧道特性的研究，[p1]等等。但是，对于MgB合成过程中晶核的形成及晶核生长过程，这方面的研究报告尚不多见。本文着重分析了MgB超导体合成过程中晶核的