HEMT及其界面态效应的二维数值模拟.docVIP

HEMT及其界面态效应的二维数值模拟 规结 掏的AIGtAI/GtAiHEMT进行了模拟,讨论了HEMT的内部工作机制,特别是异质结效 应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性扼的影响.模拟结果表明界面态对HEMT 的特性有显着的影响. I.引言 高电子迁移率晶体管(HEMT)以其优异的性能越来越受到重视.众所用知.载流子 深能级陷阱对器件的性能有很大的影响.n型AIGaAs中DX中心及其对AIGaAs/ GaAsHEMT的影响已有许多实验和理论研究Ⅲ,但对AIGaAs/GaAs调制掺杂异质结 (MDH)界面态的研究,以及界面态对HEMT性能影响的研究却很少.KLee等从理 论上研究了AIGaAs/GaAsMDH中界面态对二维电子气(2DEG)低场迁移率的影响. MTakikawa等首次用修正的DLTS测量了AIGaAs/GaAsMDH的界面态.由于 HEMT沟道中的2DEG位于异质界面处,界面态的影响将是很重要的.但至今为止,关 于在HEMT器件模型中考虑界面态效应的研究,还未见报道. 本文基于异质结漂移一扩散模型(DDM)建立了HEMT的二维数值分析模型,并将 界面态模型引入其中.界面态模型的建立是基于已有的理论和实验研究结果.本文对 1m栅长的常规HEMT进行了模拟,分析讨论了HEMT的内部工作机制,特别是异质 结效应.本文着重模拟分析了界面态对器件特性的影响.在模拟分析中还考虑了DX中 心效应和表面态引起的表面电势效应.模拟结果表明界面态对HEMT的性能有显着的 影响. II.理论模型 (1)基本方程 基于漂移一扩散模型的异质结基本方程为: 丰谭恩由国家教委博士点基金资助 8期相奇等:HEMT及其界面态效应的二维数值模拟●,, rV’D—P,(】) J一÷V.,(zgt; 【—一寺V一(;) 式中一--evF为电血移矢量.为位置的函数),一(t’--n+No+,一Ⅳ) 为总电荷密度.若考虑DX中心和界面态,则电荷密度0一g(P一+Ⅳ+Ⅳ一 Ⅳ).其中Ⅳ;为考虑了DX中心后的电离施主杂质浓度,Ⅳ为电离界面态密度.电流 密度为: .一--nq.v(+V.)+走r.Vn.(4) 一--pq~,v(v—,)一rpv(5) 式中能带参数V.和V.为: 一～+n()+n【,∞ qVe一(x--x,)一cc一%,+n()+【]∽ 参数和分别为: 一一.∞ qr一— E.--E~一 一 )_(～卜.一【 也和分别为电子和空穴的准费米势,可表示为: 一 等?n().(1o) — 一 +等()., 下标r代表参考材料的参数.选取GaAs为F 参考材料. (2)界面态模型 基本假设:④根据K.Lee等及M. Takikawa等的实验结果,假定界面态为施 矗r △置, O 图1调謦掺杂异质结界面志模盥 .(9) 晶 主型.②界面杰能级位于两导带底间且具有均匀的态密度.⑤界面态的空间分布随着远 离界面按指数衰减. 如图1所示.由于调制掺杂异质界面处Fermi能级(或电子准Fermi能级)通常总 位于窄带隙半导体导带底E以上,E以下禁带中的界面杰能级可认为完全被电子占 半导体 据,无栅调制充放电效应,对器件的影响不大,故假定界面态有效能级仅位于E和E之 间是合理的.K.Lee等为解释调制掺杂结构中2DEG的低场迁移率,预期了一个类似 枘分布. 根据假设,界面态体密度可表示为: N,()一Nexp[--(x一D),△].(12) 式中知为异质结界面位置,△为表征衰减的系数,其意义为当一+△时,界面态 体密度衰减为最大值Ⅳ的1/e倍.我们取△知一5JjI.界面态面密度可由下式表示: Ⅳ一j=BⅣ)一Ⅳ.?△ 敬.Nm—N|z4. 假定电高界面态密度服从Fermi-Dirac统计分布,即: Ⅳ一Ⅳ..E 1+gexp[-(E—E)/{T]_ (13) (H) (15) 式中P一2为简并因子.令△E—E—E.△E一E一EmT/.一(E—E.)/dr, 则: Ⅳ一ttT.f1.pf一1kAxotL△J ? {+ln[1+2exp(~b)丽】}.(16) (3)DX中心和表面态 DX中心的引人是假定AIGaAs中为单一的等效深撬主能级EDE.由Fermi-Dirac 统计得: 一 ?(“) 式中AE为等效施主能级相对于导带底的能量差,由实验测定.在Al摩尔分数一03 时,△EDE一60meV啪. 表面态引起的表面电势效应通过设定表面电势引人等效法向电场来模拟.取典型 的表面电势值为O5V.Newton迭代的初猜值, 并对每次Newton迭代的解用截断法进行修正.在求解过程中,Fermi-Dirac积分 l()用B~dnarczyk等”啪近似解折表达式计算,其微分采用Ltmdstrom等提出 的一m(_)公式.本文工作是在Sum4工作站上进行的. B期相