碳化硅陶瓷材料的制备.docVIP

PAGE 1 碳化硅陶瓷材料的制备 于文志 引言 碳化硅陶瓷材料具有优异的高温强度、耐磨性、耐腐蚀性及良好的导电、导热性， 在航空、航天、汽车、机械、石化、冶金和电子等行业得到了广泛的应用。但由于碳化硅的强共价键特性，十分难以烧结。碳化硅陶瓷的制备方法很多，下面将介绍几种主要的制备方法。 2. 碳化硅陶瓷材料的制备方法 2.1 反应烧结碳化硅 将α—SiC粉末和碳按一定比例混合制成坯体，在1400—1650℃之间加热，使液相或气相Si渗入坯体，与碳反应生成β—SiC，把坯体中α—SiC颗粒结合起来，从而得到致密SiC材料，这种工艺又称自结合碳化硅。反应烧结工艺制备碳化硅材料的优点是烧结温度低，制成品无体积收缩，无气孔，形状保持不变，其主要缺点是烧结体中含有8％-12％的游离硅与少量残留碳，从而限制了材料的最高使用温度（＜1350℃），同时也不适合 按起始素坯中是否含有碳化硅颗粒，可将反应烧结碳化硅分为反应结合碳化硅和反应形成碳化硅。 2.1.1 反应结合碳化硅 反应结合碳化硅是指素坯中含有碳化硅和碳粉，在反应过程中碳和硅反应生成新的碳化硅相与原碳化硅相结合，从而形成碳化硅复合材料。其制备工艺如下：将碳化硅粉、碳粉和有机粘结剂混合，经过成型、干燥、脱粘，最后渗硅而制得。这是现在普遍采用的一种方法。 这种方法制备的反应烧结碳化硅中一般含有粗大的碳化硅晶粒，且自由硅的含量较高，但是此种方法工艺过程简单，且成本较低。 2.1.2 反应形成碳化硅 反应形成碳化硅是指素坯中只含有碳，这种多孔碳的素坯与硅或硅合金反应从而制备出碳化硅复合材料。其主要原理是：将可转变为碳的前驱体、孔形成剂及溶剂混合，在酸的催化作用下，使碳的前驱体聚合，随着聚合过程的进行所形成的聚合物与孔形成剂和溶剂相分离，形成富聚合物相和富孔形成剂和溶剂的双连续相的固体，将此固体热裂解，在热裂解的过程中，聚合物相转化为碳，而孔形成剂和溶剂蒸发或分解产生气孔，从而获得多孔碳。多孔碳再进行渗硅或硅合金制取反应烧结碳化硅材料。 用此法制备的反应烧结碳化硅的优点是：通过调节起始组分的浓度、聚合和热处理温度，所得多孔碳的密度、孔径的大小和分布及孔的形貌在很大范围内可调；因是采用湿化学的方法，素坯的结构均匀；素坯中只含有碳而不包含原生的碳化硅，这样制品最终的显微结构均一，更有利于提高制品的力学、热学及光学性能。用此种工艺制备的反应形成碳化硅其强度可达600—700MPa。此法的缺点在于制备过程较复杂，成本较高，且在热裂解的过程中有大量的气体放出，素坯易开裂，较难制得大尺寸的制品。 另外，现在有采用石油焦为原料制备全碳质素坯，再经渗硅而制取反应生成碳化硅。但是现在所制备的材料的性能较低，强度一般低于400MPa，且所得的碳化硅的均匀性不好。但是由于采用了价格低廉的石油焦为原料，成本较低。 2.2 无压烧结（常压烧结）碳化硅 碳化硅是共价键很强的材料，难以直接烧结致密，必须加入烧结助剂才能实现无压烧结。Be，B，Al，N，P，As等易溶入碳化硅中，而B的溶解度最大。B可以以B4C的形式加入；此外碳的加入有利于使碳化硅颗粒表面的氧化膜的高温时还原，增加颗粒表面能。目前常用的添加剂为Al+B4C+C或Al2O3+Y2O 采用β—SiC超细粉和B、C的体系，在1900—2100℃ 无压烧结的优点是：可以采用多种成形工艺制备各种形状的制品，在适当添加剂的作用下可获得较高的强度和韧性，其不足之处在于烧结温度较高，得到的材料具有一定的气孔率，强度相对较低，并且伴随15％左右的烧成体积收缩，此外在烧结过程中可能出现化学成分和密度的不均匀，影响其性能的均匀性。 2.3 热压烧结碳化硅 热压烧结生产工艺生产的碳化硅其性能优良。特别是耐热冲击性优秀，并具有高密度，高强度。密度可达理论密度的99％以上。据报导强度可达110kg／mm2，在1600℃时仍有105kg／mm2 与无压烧结类似，热压烧结碳化硅在无烧结助剂的情况下，仍然无法得到完全致密材料。其常用的烧结助剂为B+C、B4C、Al2O3、AlN、，BN、BeO、Al等。烧结助剂种类与含量不同，所得的材料的性能也不同；此外，影响热压碳化硅材料烧结性能的因素还有原材料颗粒度、原材料中的α—SiC含量、热压压力与温度等因素。一般采用的热压温度为1950—2300℃，压力20—40MPa，热压烧结的 热压烧结法与常压烧结法的不同之处就是可将碳化硅的含量从1％到99％以任意比例配合，所以能得到连续变化的复合材料的电阻率。可是由于热压是单一方向加压，所以烧结体中的粒子发生离位定向使弯曲强度、电阻率等物理性能有根强的异向性。 2.4 再结晶碳化硅 碳化硅粉料中不加添加剂, 直接将成型的毛坯在2000℃以上的温度烧结, 其主要的烧结机理为蒸发—凝聚。烧结时无体积变化，收