第六章-二次离子质谱.pptVIP

与此同时SIMS成像技术也有很多新进展，空间分辨率已进入亚微米范围，最高质量分辨率也已达10000。 如果把这两种技术结合起来，就可以从离子像中提取丰富的化学成分以至化学结构信息，这是SIMS成像技术的一个发展方向。 图中给出质荷比为56的成分分布像。 从离子与表面的相互作用可知，由于多次碰撞、位移，二次离子发射的位置会偏离一次离子入射的位置。 这个偏移范围大约在10nm量级，它是SIMS成像空间分辨串的极限。 离子微探针的空间分辨率受限于入射离子的束斑直径，而在离子显微镜中，由于二次离子具有一定的能量分散，二次离子光学系统的色差限制了其空间分辨率。 减小所检测的二次离子能量范围，可以提高分辨率。通常，提高空间分辨率将以牺牲灵敏度为代价。 5、绝缘样品的分析及“中和”问题 在绝缘样品上进行SIMS分析会使表面局部带电。二次离子发射不仅数量上变化，能量分布也要变化，此外荷电态并不稳定，因此必需予以“中和”。 有人用在表面上沉积导电膜或加金属网等办法，使绝缘样品导电。最简单的“中和”办法是在样品附近加一热灯丝，与靶同电位，这时靶面一旦带电，热阴极就会发射电子使之中和。 最好的办法是用中和电子枪提供扫描电子束，调整其能量与流强以求得最佳中和。 SIMS—优点： 一种“软电离”技术，