第四章 光电成像.pptVIP

掌握CCD的基本原理（电荷存储、电荷转移）。 掌握CCD摄像器件的结构和特点。 熟悉CCD器件的分类。 了解CCD器件的发展状况。 第四章 光电成像. 谢谢 * 随着时间的增加，由于热激发所产生的电子-空穴对，空穴被耗尽区电场驱到衬底，而电子被吸引到Si表面形成了反型层。在反型层对外电场的屏蔽下，使表面势减小，同时降低了耗尽层的宽度。如图（b）。 当足够数目的电子汇集在表面时，势阱中存储的电子足以使势阱的深度变为零，表面势就不再变化了，达到饱和状态（热平衡状态），此时离开表面的扩散电流和流向表面的漂移电流达到动态平衡。达到热平衡所需要的时间称为热驰豫时间。在室温下，热驰豫时间为1S-几S，与其结构和工艺有关。如图（c）。 在饱和状态下并不存在有用的势阱。CCD要存储有用的信号电荷，则要求信号电荷的存储时间远远于小于热驰豫时间，即CCD是在非平衡状态下工作的。趁MOS电容器刚加上电压，还没达到平衡状态以前进行光注入 Xd t=t1 + - +++++ -------- 信号电荷 让一束光线投射到MOS电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入P型Si衬底，衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极的两端移动，这就是信号电荷。这些信号电荷储存在由电极形成的“势阱”中。如图所示。 收集在势阱中的“电荷包”的大小与入射光的照度成正比。 当CCD用作拍摄光学图像时，把按照度分布的光学图像通过光电转换成为电荷分布，注入到每一位深势阱中。 在热驰豫过程终结前较长时间，势阱中热电子的成分远远小于光生电子，所以势阱中积存的电荷量代表了入射光强度信息。 光生电荷存储的CCD——CID CID构成的摄像机——ICCD 电荷转移（电荷耦合） 由MOS结构的工作原理可知，CCD存储信号是通过电极上加电压来实现的。 CCD传输信号电荷是通过电极上加不同的电压来实现的，依靠CCD本身各电极下势阱形状的变化使电荷转移。 5V 10V 5V 5V 1 4 3 2 ----- 5V 10V 5V 15V 1 4 3 2 -- -- 当电极3所加偏压增到15V时，电极3下的势阱将比电极2下的势阱更深，于是电极2下存储的电荷将沿界面移向电极3下的势阱。 外加在栅级上的电压愈高，表面势越高，势阱越深。浅势阱至深势阱交替改变栅级电压，使势阱形状变化，完成电荷转移。 电荷转移过程=信息输出过程——自扫描。 通常电极结构按所加脉冲电压的相数分为二相系统、三相系统和四相系统。 三相CCD的电荷转移 1 4 3 2 ---- 5 6 7 ---- ?3 ?2 ?1 第一位 第二位 n位 ?? ?? ?? 三相CCD结构 （a）初始状态；(b)电荷由①电极向②电极转移；(c)电荷在①、②电极下均匀分布； (d)电荷继续由①电极向②电极转移；(e)电荷完全转移到②电极；(f)3相交叠脉冲。 假设电荷最初存储在电极①(加有10V电压)下面的势阱中，如图(a)所示，加在CCD所有电极上的电压，通常都要保持在高于某一临界值电压Vth，Vth称为CCD阈值电压，设Vth=2V。所以每个电极下面都有一定深度的势阱。显然，电极①下面的势阱最深。 如果逐渐将电极②的电压由2V增加到10V，这时，①、②两个电极下面的势阱具有同样的深度，并合并在一起，原先存储在电极①下面的电荷就要在两个电极下面均匀分布，如图(b)和(c)所示。 然后再逐渐将①电极下面的电压降到2V，使其势阱深度降低，如图中(d)和(e)所示，这时电荷全部转移到电极②下面的势阱中，此过程就是电荷从电极①到电极②的转移过程。 如果电极有许多个，可将其电极按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的顺序分别连在一起，加上一定时序的驱动脉冲，如图(f)所示，即可完成电荷从左向右转移的过程。用3相时钟驱动的CCD称为3相CCD。 为了更好地传输电荷，要求耗尽层交叠，使邻近电极的表面电势光滑地过渡，为此要求电极紧密地排列，一般铝电极之间的间隙约为2.5?m，给制造工艺带来困难，容易产生电极短路。以上是单层金属化电极结构。 目前均采用三相多晶硅交叠栅结构，通过光刻、热氧化、沉积，电极间隙只是氧化层的厚度，只有几百毫? m。 二相CCD的电荷转移 总结：P沟道型CCD原理 金属-氧化物-半导体结构（MOS)在外加电场作用下，半导体中空穴被推离界面，形成表面势井； 光照产生的电子填充势井，使势井变浅。势井变化率与光生载流子成正比。 势井中的电子在交替变化的电位作用下耦合到下一个势井中，顺序移出。 电荷耦合器件的组成及其工作原理 CCD器件主要由3部分组成: 信号输入部分 电荷转移部分 信号输出部分 信号输入部分 作用：将信号电