第四章半导体导电性.pptVIP

③相同温度下，随杂质浓度增加，迁移率总是下降的(但在浓度较小的范围内下降不明显) 返 回 返 回 ④在较低浓度下，同类多子与少子的迁移率近似相等 返 回 ⑤随浓度的增加，多子与少子迁移率均下降 返 回 ⑥相同掺杂浓度时，少子迁移率总是大于多子迁移率，且其差别随浓度增加而增加 电阻率 3．如何定性分析电阻率与温度浓度之间的关系？（掌握） 返 回 电阻率 （1）浓度对电阻率的影响 返 回 室温下，可认为杂质全部电离，载流子浓度近似等于杂质浓度。迁移率则随浓度增加略有下降，可近似认为不变。 常温下轻参杂浓度的影响 返 回 即电阻率随浓度上升而下降，对数坐标系下为斜线 常温下，随杂质浓度增加，电阻率明显偏离轻参杂时直线变化。产生偏离的原因有： 杂质未全部电离，致电阻率偏高； 迁移率明显随浓度的升高而降低，致电阻率偏高。 参杂浓度较高时的影响 返 回 （2）温度对电阻率的影响 返 回 随温度的升高 载流子浓度： 迅速上升 迁移率: 下降 电阻率: 迅速下降 本征半导体 返 回 随温度的上升，电阻率的变化特征可分为三个区 低温区： 载流子浓度增加； 迁移率下降趋缓； 电阻率随温度上升而下降 饱和区（工作区）： 载流子浓度基本不变； 迁移率下降较缓； 电阻率较缓上升 一般参杂半导体 返 回 高温区： 载流子浓度迅速上升； 迁移率较缓下降； 电阻率迅速下降，呈现本征半导体的导电特征 随参杂浓度增加，进入高温区的温度上升 当参杂浓度较高时，由于饱和区内迁移率、载流子浓度基本不变，所以电阻率也保持常量 返 回 不同参杂浓度在工作区和高温区温度对电阻率的影响 返 回 §4. 3 玻尔兹曼方程 电导率的统计理论 返 回 （1）计算中把τ看作一个常数，没有考载流子速度的统计分布。一般地说，τ应应是载流子速度的v函数，必须进一步把漂移速度对具有不同热运动速度的载流子求统计平均才能得出精确的结果。 （2）计算中假设散射后的速度完全无规则，散射后载流子向各个方向运动的儿率相等，这只适用于各向同性的散射，对纵声学波和光学波的确是各向同性的。但对电离杂质的散射则偏向于小角散射。因而还需考虑散射的方向性。 返 回 （3）对具有单一极值、球形等能面的半导体（或对于具有多极值、旋转椭球等能面的锗、硅半导体来讲，有效质量应取为电子的状态密度有效质量）分析得到对导带电子的散射几率： 返 回 （4）对热运动速度求统计平均后可得： §4.4 强电场效应、热载流子、多能谷散射 返 回 1．为何在强电场下会产生欧姆定律的偏离现象？什么叫热载流子及热载流子有效温度？（掌握） 2．如何获得平均漂移速度与电场的关系？（了解） 3．什么是耿氏效应？如何解释？（掌握） 1．为何在强电场下会产生欧姆定律的偏离现象？（掌握） 返 回 载流子系统与晶格系统之间通过散射进行能量交换 当未加电场 载流子通过散射吸收和发射的声子能量相等，载流子系统与晶格系统处于热平衡状态。 当所加电场较小时 载流子从电场中所获得的能量通过散射全部传给晶格系统，因此载流子系统与晶格系统仍然处于能量平衡状态，此时电导率与电场无关，电流密度与电场的关系服从欧姆定律 当所加电场较大时 载流子从电场中获得的能量大于与晶格系统所交换的能量，因此不再处于热平衡状态下从而形成所谓的热载流子。由于热载流子能量高，速度大，平均自由时间短，因而漂移速度降低，因此此时发生欧姆定律的偏离。此时代表热载流子平均动能大小的温度显然高于晶格的温度，称此温度为热载流子的有效温度Te，则在弱电场和强电场作用下其迁移率分别是 返 回 散射前后准动量守恒方程 散射前后能量守恒方程 单位时间内因散射使电子的能量改变 单位时间电子从电场中获得的能量 稳定态时能量守恒 热载流子有效温度与电场的函数关系 讨论 2．平均漂移速度（迁移率）与电场有何关系？（了解） 返 回 （1）电场很小时，漂移速度随电场的增加线性增长，电场对迁移率的影响可忽略，载流子与晶格之间处于热平衡状态，欧姆定律成立。 （2）随电场增加，漂移速度与电场的关系逐渐偏离线性关系，迁移率逐渐下降，热载流子有效温度上升 （3）电场较大时，漂移速度与电场的平方根成比例，热载流子有效温度与电场呈线性增长，迁移率与电场的平方根成反比 （4）当电场很大时，漂移速度与电场无关（即达到饱和），迁移率与电场成反比，热载流子有效温度与电场成抛物线增长。 返 回 耿氏效应： 当在半导体（GaAs），加很高电压时，产生很高频率的电流振荡现象，称为耿氏效应 微分负电导： 对多能谷半导体材料，当电场增加到一定时，电子便可获得足够能量，从能谷1跃迁到能谷2，从而产生谷间散射，由于能谷2的电子有效质量大为增加，从而使得跃迁电子的漂移速度发生很大改变而降低，随着电场增加，跃迁电子数的增加，终将形成平均漂