第四章 场效应管.ppt

* * 0 ID UGS VT NMOS转移特性曲线 HOME 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 在集成电路中，许多MOS管都制作在同一衬底上，为了保证衬底与源、漏区之间的PN结反偏，衬底必须接在电路的最低电位上。 衬底效应 若某些MOS管的源极不能处在电路的最低电位上，则其源极与衬底极不能相连，其间就会作用着负值的电压VUS,在负值衬底电压VUS作用下，P型硅衬底中的空间电荷区将向衬底底部扩展，空间电荷区中的负离子数增多。 可见， VUS和VGS一样，也具有对ID的控制作用，故又称衬底电极为背栅极，不过它的控制作用远比VGS小。 实际上， VUS对ID的影响集中反映在对VGS(th)的影响上。 VUS向负值方向增大， VGS(th)也就相应增大。因而，在VGS一定时， ID就减小。 但是由于VGS不变，即栅极上的正电荷量不变，因而反型层中的自由电子数就必然减小，从而引起沟道电阻增大，ID减小。 HOME 2.耗尽型特性曲线： 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VGSoff HOME 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 HOME 双极型和场效应型三极管的比较 双极型和场效应型三极管的比较(续) （1）直流参数 （2）交流参数 （3）极限参数 HOME 4.3 主要参数 表3-2 常用场效应三极管的参数 四 场效应三极管的型号 1.与双极型三极管相同： 第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表绝缘栅型场效应管。 第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。 例如3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。 例如CS14A、CS45G等。 场效应三极管的型号现行有两种命名方法： 2.第二种命名方法是CS××#： 双极型和场效应型三极管的比较 双极型和场效应型三极管的比较(续) 4.4场效应管静态工作点的设置方法 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源 1. 基本共源放大电路 2. 自给偏压电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 3. 分压式偏置电路 为什么加Rg3?其数值应大些小些？ 即典型的Q点稳定电路 场效应管放大电路的动态分析 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的h参数等效模型类比： 1. 场效应管的交流等效模型 2. 基本共源放大电路的动态分析 若Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 3. 基本共漏放大电路的动态分析 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则 基本共漏放大电路输出电阻的分析 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=? （三） 共栅组态基本放大器 其等效电路如图: 共栅放大器电路如图: 与共基放大器类似: 输入阻抗低 输出阻抗高 电压增益高 - + - Uo + G Ui RD RL Rs S D ED 3-24. 共栅放大器典型电路 电压增益为: 式中:RD’=RD // RL 共栅放大器等效电路(电流源) 共栅放大器等效电路(电压源) ri’= Rs // ri 输入电阻为: - gm rds Ui rds + - Uo + G Ui RD’ Rs S D Id + - 3-22.共栅放大器等效电路(电压源) ri’ ri ri= Ui / Id?1/ gm 当rds RD’ , gm rds 1时： 所以： ri’ ? Rs // （1/ gm） 输出电阻为: ro’ ? RD // rds ? RD ro’ (四)三种接法基本放大电路的比较 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 电压增益 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输入电阻Ri ) + /1 //( CB: CC: CE: ie e hfe h R CS：RG CD：RG CG：Rs//(1/gm) 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输出电阻Ro CS：rds // RD CD：Rs/