第四章半导体中载流子在电磁场中的运动.ppt

第四章 习题 P143 第2、3、7、16题 P408 第1题 设： 试证明： （1）半导体电导率取极小值σmin的条件是： （2） 其中σi是本征半导体的电导率，b=μn/μp 补充题 第四章半导体中载流子在电磁场中的运动. 谢谢 三、两种载流子同时存在时霍尔效应 1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数RH 有四种横向电流： ● 空穴在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 ● 电子在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 ● 空穴在y方向霍尔场作用下形成的电流 ● 电子在y方向霍尔场作用下形成的电流 －y方向 (1) y方向的空穴电流密度(Jp)y 假设稳定后，横向电场沿+y方向 洛仑兹力： +y方向 霍尔电场力： (2) y方向上的电子电流密度(Jn)y 稳定时，横向电流为0 (1) 本征半导体：n=p=ni 2．不同半导体RH与温度的关系 1/T RH (－) 例：ZnS (2) N 型半导体 ● 饱和区 为常数 ● 温度再升高，少子浓度升高 无论温度多高，RH 始终小于0，并且随T 升高，始终下降。 T↑, 1/T RH (－) (－) 饱和区 过渡区 本征区 (－) (3) p型半导体 ● 饱和区 为常数 ● 过渡区 T↑, p-nb2↓ (p+nb)2↑ 当 p-nb2 0，RH 0 当 nb2=p 时， RH＝0 | p-nb2 | ↑，|RH|↑ RH ↓ 当 p-nb2 0，RH 0 1/T RH (+) (+) (－) (－) ● 本征区 饱和区 过渡区 本征区 当 时，RH达到负的最大值 ND或NA升高，RH下降 (+) (+) (-) (-) (-) (-) 霍尔系数与温度和杂质浓度的关系 RH 1/T NA/ND T 3．RH与掺杂浓度的关系 四、霍尔效应应用 1．判别半导体极性，测量材料参数 2．霍尔器件 l b d Ex Bz I Ey - - - - - - - - - - C + + + + + + + + + A z y x VH l b d Ex Bz I Ey - - - - - - - - - - C + + + + + + + + + A z y x l b d Ex Bz I Ey - - - - - - - - - - C + + + + + + + + + A z y x l b d Ex Bz I Ey - - - - - - - - - - C + + + + + + + + + A z y x I 由于磁场的存在引起电阻的增加，称这种效应为磁阻效应。 §4.7 半导体的磁阻效应 按电磁场的关系分 纵向磁阻效应： B//E，磁阻变化小，不产生VH 横向磁阻效应： B?E，磁阻变化明显，产生VH 一、磁阻效应的类型 按机理分 由于电阻率?变化引起的R变化 物理磁阻效应 由于几何尺寸l/s的变化引起的 R变化 几何磁阻效应 磁阻的大小： 或 二、物理磁阻效应 1．一种载流子 P型：电场加在x方向，磁场在z方向 达到稳定时： Ex Ey vx fL qEy VVx的空穴： 运动偏向霍尔场作用的方向 VVx的空穴 ： 偏向磁场力作用的方向 沿横向电场强度方向的电流密度减小 电阻率增大 Ex Ey vx fL qEy V＜Vx V＞Vx 载流子速度统计分布导致横向磁阻效应 只考虑一种载流子的材料的磁阻效应，磁阻通常表示为 ： Tm为磁阻系数 ?H为霍尔迁移率，它表示载流子在单位磁场强度下的偏转强度 2．同时考虑两种载流子 Bz=0、E=Ex 时， 电子逆电场方向运动，形成电场方向电流Jn 空穴沿电场方向运动，形成电场方向电流Jp 总电流：J0=Jn+Jp – + J Jp Jn (a) Jn Jp + + + – – – Ey (b) J + – Bz Bz?0时，沿x方向的总电流应是两电流的矢量之和 ?电阻升高 此种磁阻表示为： 为横向磁阻系数 RHo为弱磁场时的霍尔系数 ?0为无磁场时的电导率 所谓弱场，一般指： 三、几何磁阻效应 1．长条样品(N型) Bz=0，E=Ex Bz?0 I J E E J I Bz J J I + - θ I Bx 2. 扁形样品(N型) Bz=0，E=Ex Bz?0 3．园盘形样品 Corbino效应 I I Bz Bz=0 Bz?0 θ 四、磁阻效应的应用 磁敏电阻：结构简单，灵敏度高，但要求迁移率高。二端器件 Corbino圆盘的磁阻： 第四章 小结 一、电导率 迁移率 电导率与平均