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芯片制备中的光刻技术 广东工业大学机电工程学院 魏 昕 集成电路的集成度和产品性能每18个月增加一倍。据专家预测,今后20年左右,集成电路技术及其产品仍将遵循这一规律发展。 以集成电路为核心的电子信息产业超过了以汽车、石油、钢铁为代表的传统工业成为第一大产业，成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的强大引擎和雄厚基石。 经济发展的数据表明,每l?2元的集成电路产值,带动了10元左右电子工业产值的形成,进而带动了100元GDP的增长。 我国集成电路设计与制造水平 20世纪80年代中期我国集成电路的加工水平为5?m，其后，经历了3、1、0.8、0.5、0.35 ?m的发展。目前达到了0.18?m的水平。 当前国际水平为0.09 ?m （90nm）。 我国与之相差约为2-3代。 集成电路设计与制造的主要流程框架 设计 芯片检测 单晶、外延材料 掩膜版 芯片制造过程 封装 测试 系统需求 主要流程为薄膜制备、光刻和刻蚀 —制造业— 芯片制造过程 由氧化、淀积、离子注入或蒸发形成新的薄膜或膜层 曝 光 刻 蚀 硅片 测试和封装 用掩膜版 重复 20-30次 集成电路芯片的显微照片 Vss poly 栅 Vdd 布线通道 参考孔 有源区 N + P + 集成电路的内部单元(俯视图) 集成电路制造工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 图形转换：光刻 电阻集成电路的制造工艺 利用光学光刻传递图形所需步骤 图形转换：光刻 在主流微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺。 圆片光学曝光简单系统：顶上的光源发出通过掩膜的光。圆片表面涂上一薄光刻胶（光敏材料）。 光学光刻分两部分：曝光工具在圆片表面产生掩膜图形；化学过程——一旦辐照的图形被光刻胶吸收和图形被显影时。 曝光光源（工具）：可见光、紫外光（UV）、深紫外光（DUV) 或极紫外光（EUV） 图形转换：光刻 简单的光学曝光系统 光源 光阑 快门 掩膜 光刻胶图片 波长越短，可曝光特征尺寸越小 图形转换：光刻 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条。 分辨率——可以曝光出来的最小特征尺寸 正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶 图形转换：光刻 几种常见的光刻方法 接触式光刻：曝光时掩膜压在涂覆光刻胶的圆片上。分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低。 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前工业应用最多。 间隙 投影式 接近式 接触式 三种光刻方式 图形转换：光刻 超细线条光刻技术 甚远紫外线(EUV：13－14nm) 所有材料对EUV波段的光波有很强的吸收性。 为了减少对EUV的吸收，在EUV光学体统的路上必须维持真空环境。 可实现22nm的工艺结点的光刻，经改进，可实现10nm得图形光刻。 X射线（1?10KeV的光子。接近式。分辨率：30nm左右） 电子束光刻（直接写。波长远小于光波波长，理论上可得到尺寸很小的特征图形。但掩膜版必须足够后避免电子穿透，工作效率低。） 离子束光刻（直接写或投影。穿透深度很小，掩膜版的透明部分必须是空白。分辨率高、焦深长、衍射效应小、损伤小和产量高、成本等。） 图形转换：刻蚀技术 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 图形转换：刻蚀技术 湿法腐蚀： 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差 干法刻蚀 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两