第四讲 金属半导体接触和MIS结构.ppt

形成反阻挡层（引起需要的载流子顺利通过界面） 半导体表面形成重掺杂层，势垒区宽度变得薄，电子通过隧道效应产生相当大的隧道电流，当隧道电流占主导地位时，电流具备双向导通性，接触电阻可以很小，并且可以忽略，可以用作欧姆接触。 * 何谓半导体 半导体材料的分类 半导体材料的性质 半导体（光伏）材料的物理基础 前课复习 载流子的产生（能带，载流子） 能带理论 能级理论 非平衡载流子 载流子的分离（pn结） P型半导体和N型半导体相结合——PN结 PN结是构造半导体器件的基本单元。其中，最简单的晶体二极管就是由PN结构成的。 P N 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? ? 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 1 PN结的形成 扩散运动：空间电荷区展宽 漂移运动：空间电荷区变窄 多子的扩散和少子漂移运动达到动态平衡。 P区和N区的掺杂浓度相同对称结 耗尽层 势垒区 电位U 电子势能 不对称PN结 如果P区和N区一边掺杂浓度大(重掺杂)，一边掺杂浓度小(轻掺杂)，则称为不对称结，用P+N或PN+表示(+号表示重掺杂区)。这时耗尽区主要伸向轻掺杂区一边. 2 PN结的单向导电特性 PN结的单向导电性只有在外加电压时才会表现出来 （一）、PN结加正向电压 Ｐ－正, Ｎ－负。正向电压或正向偏置(简称正偏) PN结处于导通状态, 表现为一个很小的电阻 外电场 正向电流IF 扩散运动大于漂移运动 多数载流子形成的扩散电流起支配作用 少数载流子形成的漂移电流方向相反，很小，可忽略。 （二）、PN结加反向电压 将电源的正极接Ｎ区, 负极接Ｐ区——PN结加反向电压或反向偏置(简称反偏) PN结处于截止状态, 呈现出一个很大的电阻(高达几百千欧以上)。 外电场 漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流 故少子形成 的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为 反向饱和电流IS。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的 综上所述：PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 即PN结具有单向导电特性。 关键在于耗尽层的存在 金属半导体接触（MS结构） 欧姆接触 MIS结构 * 功函数：真空中静止电子的能量与费米能的差值，代表着电子从体内跃迁到体外需要的能量。 * E0 EF 半导体功函数 金属功函数 任何两种相接触的物质的费米能级（或者严格意义上来说化学势）必须相等。（不患寡而患不均） 接触金属和半导体会有不同的功函数 当两种材料相接触时，电子会从低功函的一边流向高功函的另一边，电子从费米能级高的一边流向费米能级低的一边直到费米能级相平衡。 费米能级高的一方为电子输出方，随着电子的输出和迁移，其表面留下一定厚度带正电的施主离子 输出到对方的电子则会被这些正电离子吸引，聚集在另一侧的边缘，形成内建电场。 内建电场方向从费米能级高的一边指向低的一边。 整个金属-半导体系统保持电中性，输出电子的一方电势升高，聚集电子的一方电势降低 * * Wm Wp FpFm P型半导体电子费米能级相对 较高 电子由P型半导体流向 金属 内建电场方向由P型半导体 指向金属 P型半导体一侧形成空穴高电 导区域，形成反阻挡层 Wm Wp FpFm 金属电子费米能级相对较高 电子由金属流向P型半导体 内建电场方向由金属指向P 型半导体 P型半导体一侧形成空穴势 垒区，形成阻挡层 对于n型半导体，正好和p型半导体相反，当Wm Wn的时候，n型半导体一侧形成电子阻挡区 反之，当Wm Wn的时候， n型半导体一侧形成电子反阻挡区 N型半导体 P型半导体 WmWs 阻挡层 反阻挡层 WmWs 反阻挡层 阻挡层 * 内建电场方向 S-M M-S 非整流接触，或者能引起需要的载流子顺利通过界面的整流接触。 不产生明显的附加阻抗，而且不会使得半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变 电学意义：理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比应当很小，电流通过时，欧姆接触的压降远小于样品和器件本身的压降 * N型半导体 P型半导体 WmWs 阻挡层 反阻挡层 （欧姆接触） W