Gen8选件详细介绍演示文稿.pptx

HP SmartDrive;HP SMARTDRIVE;发布了何种新产品？;新特性;全新驱动器机械设计;托架LED指示灯定义;增强的显示屏;驱动器活动旋转指示灯 ;“请勿卸载”指示灯;硬盘状态指示灯;智能托架验证;驱动器错误日志NVRAM;为何应购买HP SmartDrive;常见问题解答;常见问题解答;常见问题解答;Gen8惠普SATA中端硬盘;目录;Gen8惠普SATA中端硬盘;主要特性和优势;发布了何种新产品？;为何应购买带智能托架（热插拔）选件的惠普6G SATA驱动器？;产品部件编号/说明 ;HP SmartMemory;;推出全新DDR3内存;;HP SmartMemory;提供了卓越且独特的惠普认证内存特性和功能，改进了可靠性、性能和可管理性方面的价值;专为HP ProLiant优化的HP SmartMemory;HP SmartMemory;;;为何应选择惠普？;;丰富的惠普认证内存产品;;英特尔DDR3内存部件编号;DDR3部件编号说明格式;在操作系统启动前完成验证;IML消息示例;DDR3内存安装规则 — 英特尔;英特尔Gen8内存性能表;P2;16个插槽的服务器;减少意外停机时间;;DDR3是第三代双倍数据速率(DDR) SDRAM内存。它是DDR内存技术的继续发展，可以实现更高的速率、更低的功耗以及更好的散热。它是配备了多核处理器的高带宽系统的理想内存解决方案。 可用的容量包括2、4、8、16和32GB。惠普的DDR3选件套装包括一个DIMM DIMM类型 带ECC的UDIMM的延迟和功耗均低于RDIMM，但容量限制更多。带ECC的非缓冲内存在制造商的模块名称中带E标识（例如，PC3-10600E）。 RDIMM也有ECC，并且容量比UDIMM大，包括地址奇偶校验保护。寄存型在模块制造商的名称中带R标识（例如，PC3-10600R）。 ECC是指纠错码（Error Correct Code）功能。可以纠正单个位错误。可以检测但不纠正多位错误。高级ECC可以纠正特定的多位错误。 速率是指DRAM芯片以及使用这些芯片内存模块的数据速率。当前的Gen8内存提供两种基本速率： DDR3-1066 DRAM 以1066Mb/秒的速率运行。采用DDR3-1066 DRAM的DIMM称为PC3-8500 (1066 x 8 字节，约等于8500 MB/秒） DDR3-1333 DRAM 以1333Mb/秒的速率运行。采用DDR3-1333 DRAM的DIMM称为PC3-10600 (1333 x 8 字节，约等于10600 MB/秒） DDR3-1600 DRAM 以1600Mb/秒的速率运行。采用DDR3-1600 DRAM的DIMM称为PC3-12800(1600 x 8 字节，约等于12800 MB/秒） 系统实现的速率取决于内存在系统中的安装方式。 排 — DDR3支持单排、双排和四排DIMM。排是指在内存总线上汇集到一起以提供64位（8字节）数据的DRAM芯片。一个排中的所有芯片同时受相同的芯片选择、地址和命令信号的控制。 数据宽度 — x4和x8表示每个DRAM的数据输出数量。八个x8 DRAM形成一个排。十六个x4 DRAM形成一个排。两种情况下都是64位。对于Gen8内存，所有RDIMM都只有x4。UDIMM只有x8。 非缓冲ECC和寄存型DIMM将具有：每排有9个DRAM (x8)或18个DRAM (x4)，并有额外的DRAM用于ECC。 密度 — 描述DRAM芯片中的存储位置数。DDR3将推出基于1Gb和2Gb的DRAM。在DDR3中没有512Mb。 电压 — 随着时间推移，DDR3内存将包含三种额定电压： G6采用标准电压(1.5V)；G7采用低电压(1.35V)。未来：超低电压（TBD，约1.25V） DDR3采用了能耗更低的架构，这是因为其核心电压更低。 与DDR2相比可节省超过25%的功耗（DDR2-800与DDR3-800比较） DDR3-1066的功耗低于DDR2-800。 CAS延迟 — 列地址选通(Column Address Strobe)延迟是指DRAM在一些总线时钟中从列地址到在内存总线上提供数据的DRAM的读取响应时间。在大多数应用中，这个数值越小，性能越高。;DDR3内存配置工具;英特尔Gen8服务器特定信息;最大容量 1066MT/秒8个通道（达68GB/秒^） 最多3个DPC（总共24个DIMM） 容量：768GB（具有32GB LRDIMM)* 虚拟化、数据库、OLTP环境 均衡性能 1333MT/秒在8个通道上（达84.8GB/秒^） 最多2个DPC（总共16个DIMM） 容量：256GB（具有16GB 2R RDIMM @ 1333MT/s） 通用企业工