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第10章 气密性封装 气密性封装概念： 气密性封装：是指完全能够防止污染物（液体、固体或气体）的侵入和腐蚀的封装。 气密性封装材料: 金属、陶瓷、玻璃。（高可靠性封装） 气密性封装材料： 没有任何一种材料对水汽是真正密封的。金属，陶瓷和玻璃对水汽的渗透率比任何塑料材料都低几个数量级。 因此，气密性封装元件通常由金属，陶瓷和玻璃制成。 10.1 气密性封装的必要性： 保护芯片； 防止外来环境侵害；（主要指水汽） 水汽引起的金属间电解反应会导致金属腐蚀，引起芯片的短路、断路与破坏； 提高电路、特别是有源器件的可靠性。 各主要密封材料的渗透率 10.2 金属气密性封装 金属材料具有最优良的水分子渗透阻绝能力。 主要应用于高可靠性的军用电子封装。 金属封装通常采用镀镍或金的金属基座固定芯片； 特点： 良好的气密性； 良好的热传导和电屏蔽。 金属封装简介 常见的金属封装通常用镀镍或金的金属基座以固定IC芯片；为减低硅与金属热膨胀系数的差异，金属封装基座表面通常有一金属片缓冲层（Buffer Layer）以缓和热应力并增加散热能力；针状的引脚是以玻璃绝缘材料固定在基座的钻孔上，并与芯片的连线再以金属或铝线的打线接合完成；IC芯片粘结方式通常以硬焊或焊锡接合完成。完成以上的步骤之后，基座周围再以熔接（Welding）、硬焊或焊锡等方法与另一金属封盖接合。 金属封装使用的材料： Kovar（科瓦铁镍钴）合金：具有与玻璃优良的接合特性。常用于金属封装的罐体和引脚材料。 铜：主要用于高热传导及高导电需求的金属封装；缺点：强度不足。可添加少量的铝和银改善其机械特性。 铝：主要用于微波混合电路及航空用电子产品的金属封装。缺点：强度不足、高热膨胀系数。不适合用于高功率混合电路的封装。 常见的金属封装基台 10.3 陶瓷气密性封装 利用玻璃与陶瓷及Kovar（科瓦铁镍钴）或Alloy42合金引脚架材料间可形成紧密接合的特性，以达到高可靠性的气密性封装。 陶瓷双列直插式封装如下图： 10.4 玻璃气密性封装 从真空管时代开始，玻璃即为电子元器件重要的密封材料。 特性： 良好的化学稳定性 抗氧化性 电绝缘性 致密性 为配合工艺需求，可通过调整其成分获得不同的热性质。 玻璃与金属间匹配 玻璃与陶瓷材料间具有良好的黏着性. 玻璃与金属间一般黏着性欠佳，控制玻璃在金属表面的润湿能力是形成稳定粘结的最重要技术---也是电子封装的关键技术。 界面饱和氧化理论说明，当玻璃中溶解的金属氧化物达到饱和时，其润湿能力最佳。 主要电子封装材料的性能 材料种类 热膨胀系数 (×10-6/℃) 热导率 (W/（m·K）) 硅Si 4.1 150 硼硅酸玻璃 4.3~5.4 7 可伐合金（金属） 5.8 17.0 92%氧化铝（陶瓷） 6.0 18 环氧树脂 6.0~15.8 0.2  THE END