半导体工艺原理---集成电路制造工艺介绍(贵州大学)学习课件演示课件.pptVIP

埋层区 ? 隔离墙 ? 硼扩区 ? 磷扩区 ? 引线孔 ? 金属连线 ? 钝化窗口 GND Vi Vo VDD T R 光刻掩膜版简图汇总： * .. 二）、MOS集成电路芯片制造工艺（N阱硅栅CMOS工艺） * .. 1、CMOS工艺中的元器件结构 电阻 NSD和PSD电阻结构剖面图 * .. 多晶硅电阻结构剖面图 * .. N阱电阻结构剖面图 * .. 电容 CMOS工艺中PMOS晶体管电容剖面图 * .. CMOS工艺中N阱电容剖面图 * .. 多晶硅-多晶硅电容器剖面图 * .. 二极管 PSD/N阱齐纳二极管剖面图 * .. PSD保护环肖特基二极管剖面图 * .. MOS晶体管 N阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图 * .. P阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图 * .. 双阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图 * .. 2、主要工艺流程图 * .. P+/P外延片 P型单晶片 衬底准备 * .. P-Sub 氧化、光刻N-阱(nwell) 工艺流程： * .. N阱 P-Sub N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 * .. P-Sub N阱 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) * .. P-Sub 场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） * .. P-Sub 栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂，反刻多晶 （polysilicon—poly) * .. P-Sub P-Sub P-Sub P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准） （polysilicon—poly) * .. P-Sub P-Sub P-Sub N+ active注入（Nplus —Pplus反版）  （ 硅栅自对准） * .. P-Sub P-Sub 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 * .. P-Sub 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1) * .. P-Sub P-Sub 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via) * .. P-Sub 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2) * .. P-Sub 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad) * .. 光刻掩膜版简图汇总： N阱 ?有源区 ?多晶 ?Pplus ?Nplus ?引线孔 ?金属1 ?通孔 ?金属2 ?钝化 * .. 三）、SiGe BiCMOS工艺流程简介 P型100衬底材料准备 NBL光刻,高剂量砷离子注入 P型衬底材料 砷离子注入 光刻胶 * .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. Chapter 2 Introduction of IC Fabrication 集成电路制造工艺介绍 * .. 一、模拟集成电路主要工艺类型： 模拟IC工艺 双极 CMOS BiCMOS RF、高精度、高压等应用领域 低功耗模拟IC、低电流运放等 A/D、D/A、RF混合信号芯片等 模拟集成电路工艺分类 * .. 双极 工艺 ●标准双极工艺（很少用于新产品开发） 特点：速度快、精度高、承受耐压高、工艺流程简单，缺点是缺乏高性能的纵向PNP管 ●互补双极工艺（应用最广泛的模拟IC工艺）特点：高性能互补的纵向NPN和PNP管，结合SOI等技术能极大提高模拟IC性能 ●SiGe平面双极工艺（RF IC的优选工艺平台）特点：将SiGe HBT的优异性能引入到平面双极工艺中，目前ft已超过350GHZ，可与砷化镓器件相媲美 双极工艺主要分类 * .. CMOS ●标准CMOS工艺（数字电路的主流工艺技术）特点：互补的NMOS、PMOS，工艺流程简单，集成度高 ●模拟CMOS工艺（应用最广泛的模拟IC工艺）特点：在标准CMOS的基础上集成高品质的无源器件，此外对阈值电压精度和耐压的要求更高 ●RF CMOS（RF IC） 特点：依靠缩小光刻尺寸提高MOS晶体管的速度，集成模拟IC所必需的高品质无源器件 CMOS工艺主要分类 * .. BiCMOS ●BiCMOS工艺（数模混合信号芯片的理想工艺平台）特点：将双极晶体管的高速高驱动与CMOS的低功耗高集成度优势结合 ●SiGe BiCMOS工艺（RF混合信号芯片优选的解决方案）特点：在BiCMOS优势的基础上再引入SiGe HBT的超高速、低噪声，是模拟IC工艺的重要发展方向之一 ●BCD（智能功率集成芯片） 特点：在BiCMOS优势的基础上再集成DMOS等功率器件，是智能功率芯片的理想工艺平台 BiCMOS工艺主要分类 * .. 一）双极型工艺1、元器件结