第一章半导体器件与放大电路new.ppt

* * * 晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。 * 放大电路对信号源(或对前级放大电路)来说，是一个负载，可用一个电阻来等效代替。这个电阻是信号源的负载电阻,也就是放大电路的输入电阻。 * 放大电路对负载(或对后级放大电路)来说，是一个信号源，可以将它进行戴维宁等效，等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻。 * * * * * * * * * * * * JFET的工作原理 N沟道场效应管工作时，在栅极g与源极s之间加负电，栅极g与沟道之间的PN结为反偏。在漏极d、源极s之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极s向漏极d漂移，形成iD，iD的大小受UGS的控制。 P沟道场效应管工作时，极性相反，P沟道中的多子为空穴。 PN结 N沟道 * 1.8 场效应管及其放大电路 当UGS＜0时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。 如果UGS更负，沟道更窄，iD更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，iD≈0。这时所对应的栅源电压uGS称为夹断电压UGS(off)。 UGS对导电沟道的影响 * 1.8 场效应管及其放大电路 UDS对导电沟道的影响 在栅、源极之间加电压UGS＞UGS(off)，漏、源极之间加电压UDS。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为UGD=UGS-UDS，比源端耗尽层所受的反偏电压UGS大,使靠近漏端的耗尽层比源端厚，而沟道比源端窄，故UDS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。随UDS增大，这种不均匀性越明显。 当UDS增加到使UGD=UGS-UDS =UGS(off) 时，在紧靠漏极处出现预夹断点，当UDS继续增加时，预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大，使主要UDS降落在该区，由此产生的强电场力能把未夹断区漂移到其边界上的载流子都扫至漏极，形成漏极饱和电流。 * 1.8 场效应管及其放大电路 JFET伏安特性曲线 一般情况下，夹断区仅占沟道长度的很小部分，因此UDS的增大而引起夹断点的移动可忽略，夹断点到源极间的沟道长度可以认为近似不变，同时，夹断点到源极间的电压又为一定值，所以可近似认为ID是不随UDS而变化的恒值。 根据管子的工作状态，可将输出特性曲线族分为四个区域： u u i * 1.8 场效应管及其放大电路 u u i （1）可变电阻区 是uDS较小，管子尚未预夹断时的工作区域。虚线为不同uGS是预夹断点的轨迹，故虚线上各点uGD=UGS(off)，则虚线上各点对应的uDS=uGS-UGS(off)。 2、改变uGS时，特性曲线斜率变化，因此管子漏极欲源极之间可以看成一个由uGS控制的线性电阻，即压控电阻。uGS愈负,特性曲线斜率愈小,等效电阻愈大。 特点： 1、iD几乎与uDS成线性关系，管子相当于线性电阻。 * 1.8 场效应管及其放大电路 u u i （2）恒流区（饱和区） 特性曲线近似水平的部分，它是JFET预夹断后所对应的工作区域。 特点： 1、输出电流iD 基本上不受输出电压uDS的影响，仅取决于uGS，故特性曲线是一族近乎平行于uDS轴的水平线。 2、输入电压uGS控制输出电流 * 1.8 场效应管及其放大电路 u u i （3）击穿区 特性曲线上翘部分。 uDSU(BR)DS，管子不允许工作在这个区域。 （4）夹断区（截止区） 输出特性曲线靠近横轴的部分。它是发生在uGS≤ UGS（off）时，管子的导电沟道完全被夹断。 特点： iD≈0 * 1.8 场效应管及其放大电路 转移特性曲线 指JFET漏源电压uGS一定时，输出电流iD与输入电压uGS的关系曲线，即 下图为一条uDS=10V时的转移特性曲线 * 1.8 场效应管及其放大电路 绝缘栅场效应管 绝缘栅型(IGFET)场效应管又称金属氧化物场效应管 MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOS管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于109?.它也有N沟道和P沟道两种，其中每类又分为增强型和耗尽型两种。 增强型：uGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 在uDS作用下无iD。 耗尽型：uGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在uDS作用下有iD。 * 1.8 场效应管及其放大电路 N沟道增强型MOSFET 结构和符号 N沟道增强型MOSFET拓扑结构左右对称，是在一块浓度较低的P型硅上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工