第十章半导体的光学性质和光电.pptVIP

半导体光电;半导体的光学常数 ;反射率;透射率;吸收系数;半导体的光吸收吸收 ;本征吸收;Burstein-Moss effect;吸收谱与吸收边;直接跃迁;直接跃迁-由吸收谱求能隙宽度;ZnO film;ZnO film;间接跃迁;在这种跃迁过程中，电子的准动量变化很大。由于光子的动量很小，所以必须吸收或发射声子才能满足准动量守恒。设声子的波矢为ｑ，略去光子的动量，准动量守恒由下式给出： ? 如果用ＥＰ表示声子的能量，则能量守恒可表示为 ;吸收系数;吸收谱线;间接跃迁材料的缺点;激子吸收;自由载流子吸收;子带间的跃迁;杂质吸收;电子在杂质能级及杂质能级与带间的跃迁;杂质能级吸收示意图;晶格振动吸收;光生伏特效应-Photovoltaic;P-N结中光生伏特效应的物理过程;几种光伏结构的能带图;光照前后情况;光电池的I-V特性;光电池的电流电压特性 ;太阳能电池的4个参数;半导体发光 ;发光的五个特征参量 ;发光的种类;绝缘体与半导体发光的异同;发光中心发光-色心;复合发光;间接能带半导体的发光;边缘发射 ;激子复合发光;施主-受主对的发光 ;等电子杂质与束缚激子;等电子杂质提高发光效率的物理本质;量子点光电器件; Under sunlight Under UV light;场致发光 ;交流粉末场致发光光源 ;交流场致发光光源的性能;交流场致发光光源的优缺点;直流粉未场致发光光源;直流粉末场致发光源的优缺点;薄膜场致发光;薄膜场致发光的特点;器件厚度对分辨率的影响;发光二极管;发光二极管的结构;?发光二极管的特性参数 ;提高外量子效率的途径;提高外量子效率的实用方法;发光与电流的关系;光谱特性;响应时间;工作寿命;其他光电器件;增益;光敏二极管;光敏三极管;光耦合器件;负阻发光器件;工作原理;实际工作时，在负阻发光管上预先加上直流偏压，它低于负阻的闭锁电压。 当要选通时，只需在控制极上加一幅度较大的脉冲电压，负阻发光管就可以呈“通”状态，负阻发光管上的电压降为V0。负阻发光管此时可以发出很明亮的光，并且一直保持着，即能把电信号用发光的形式“记住”。 要擦除这记住的信号，除非电压低于维持电压。也可在控制极上加反向脉冲来擦除，其幅度应大于所加的正向电压。 当有光照时，脉冲开启电压可以降低，甚至直接用光照就可使负阻发光管开启。这样可以用一种波长的光把信号写入，使负阻光管“记住”，并通过负阻发光器件发出另一波长和强度的光进行读出。 这一性能可用于光存储、光放大、光波长转换等。 ;半导体激光器;产生激光的条件和过程;半导体激光器的结构;半导体激光器的参数;Efn;受激发射的条件;注入比及粒子数反转;单异质结激光器-电子势垒;双异质结激光器-电子势阱+抑制空穴注入;其他光电器件;3. Si-based Modulator;Si-Based Light Detector;Si-based Waveguide;全反射;光学纤维－SiO2;光存储－负阻发光器件;半导体光放大器原理;半导体光放大器结构;液晶光阀－光放大与转换;Schematic diagram of OEIC on Si