（集成电路原理）CMOS电路中的寄生PNPN.ppt

CMOS电路中的寄生PNPN效应闩锁效应 寄生PNPN效应又称 闩锁（Latch-up）效应或寄生可控硅（SCR）效应。 补充：什么是晶闸管［晶体闸流管］（Thyristor），别名：可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier—SCR） 晶闸管的外形结构 外形有螺栓型和平板型两种封装 引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端 对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便 平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 Latch-Up(锁定)是CMOS存在一种寄生电路的效应，它会导致VDD和VSS短路，使得晶片损毁，或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应是早期CMOS技术不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分了解电路设计技巧之后，这种效应已经可以被控制了。 CMOS电路之所以会产生Latch-Up效应，我们可以用图2.29来表示。在图中我们以剖面图来看一个CMOS反相器如何发生此效应，而且它是用P型阱制造生产。在这个图中，我们同时也描绘了寄生电路，它包含了两个BJT(一个纵向npn和一个横向pnp)和两个电阻(RS是因N型衬底产生，Rw是因P阱产生)。BJT的特性和MOS是完全两样的。 CMOS电路中的寄生PNPN效应 寄生PNPN效应（闩锁（ Latch up ）效应） BJT有三个端点，分别为：集电极(C)、基极(B)、发射极(E)。在一个npn晶体管中，电流会从集极流至射极，如果集极-射极偏压(VCE)大于等于某一个正电压(例如，0.2V的饱和电压)，且基极-射极偏压(VBE)大于0.6V或更多一些。在PNP晶体管中，电流电压极性刚好与NPN相反。图（a）中的T1是一个PNP晶体管，T2则是一个NPN晶体管。如果RS与Rw愈大，那么Latch-Up便愈可能发生，其等效电路图如图 (b)中所示。如果有足够的电流流入N型衬底而从P型阱中流出，在RS两端的电压将可能有足够大的偏压使得T1和T2两个晶体管进入线性区而如同一小电阻。因此从电源会流出多少电流就由RS的值来决定，这个电流可能足够大而使得电路故障。 为了缓和这种效应，我们可以降低BJT的增益值并且减少Rs与Rw的电阻值。我们可以加上衬底接点(Substrate Contact)，它可以有效减少Rs、Rw电阻值。在现在大部分的制造中设计者并不需要太担心Latch-Up的问题，只要设计时使用充分的衬底接点。事实上，现在要分析出加多少的衬底接点就可以避免Latch-Up这个问题是很难的。 ? 使T1、T2的???，??npn??pnp?1，工艺上采取背面掺金，中子辐射电子辐照等降低少子寿命 ? 输入输出保护 ? 采用重掺杂衬底上的外延层，阱下加p+埋层。 ? 制备“逆向阱”结构。 ? 采用深槽隔离技术。 Latch up Problem * * SCR 工作原理 SCR 结构 A（阳极） P1 P2 N1 三 个 PN 结 N2 四 层 半 导 体 K（阴极） G（控制极/门极） 符号 A K G G K P1 P2 N1 N2 A P P N N N P A G K 工作原理 示意图 A P P N N N P G K ig ? ig ??ig K A G T1 T2 等效为由二个三极管组成 1. UAK 0 、UGK0时 T1导通 ig = ib1 ic1 = ?ig = ib2 ic2 =?ib2 = ??ig = ib1 T2 导通 形成正反馈 晶闸管迅速导通 T1 进一步导通 ig ? ig ??ig K A G T1 T2 2. 晶闸管导通后，去掉UGK 依靠正反馈，晶闸管仍维持导通状态。 (1) 晶闸管开始工作时 ，UAK加反向电压，或不加触发信号（即UGK = 0 ）。 3. 晶闸管截止的条件： (2) 晶闸管正向导通后，令其截止的方法： ig ? ig ??ig K A G T1 T2 减小UAK，使晶闸管中电流小于某一值IH。 加大回路电阻，使晶闸管中电流小于某一值IH时，正反馈效应不能维持。 IH：最小维持电流 （1）晶闸管具有单向导电性。 若使其关断，必须降低 UAK 或加大回路电阻，把阳极电流减小到维持电流以下。 正向导通条件：A、K间加正向电压，G、K间加触发信号。 晶闸管的工作原理小结 （2）晶闸管一旦导通，控制极失去作用。 SCR 特性与参数 特性 U I URRM IH UDRM IF IG1