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钨的逸出电位的测定 金属电子逸出功 （或逸出电势）的测定实验是帮助我们了解金属内电子的运动规 律和研究金属电子功函数的一个重要的物理实验。本实验加深对于热电子发射基本 规律的了解，综合性地应用了直线测定法、外延测量法和补偿测量法等基本实验方 法以及在数据处理方面的一些技巧，对培养实验者的基本实验素质是很有帮助的。 【实验目的】 1．了解关于热电子发射的基本规律。 2．用里查逊 （Ricbaedson）直线法测定钨丝的电子逸出电位 。  【实验原理】 在高度真空的管子中，装上两个电极 （如普通的二极管），其中一个用被测的金 属丝作成。如果金属丝通以电流加热，在另一个 “冷”的电极上加上比金属丝为正 的电位，那末在连接这两个电极的外电路中将有电流通过 （如图1），这种现象称为 热电子发射。研究热电子发射的目的之一就是要选择合适的阴极物质。实验和理论 证实：影响灯丝发射电流密度的主要参量是灯丝温度和灯丝物质的遍出功。灯丝温 度愈高，发射电流密度愈大；金属的逸出功愈小，发射的电流密度亦愈大。因此理 想的纯金属热电子发射体应该是具有较小的逸出功而有较高的熔点，使得工作温度 得以提高，以期获得较大的发射电流。目前应用最广泛的纯金属阴极是钨，个别的 亦有银鉭等金属。 1．电子的逸出功 根据固体物理中金属的电子论，金属中的传导电子具有一定的能量。但是它们 处于简并情况，单个原子中的每一能级分裂为许多很靠近的能级，犹如一连续的带， 称之为“能带”。现代电子论认为金属中电子能量分配不是按照麦克斯韦 （Maxwell） 分布，而是按费密一狄喇克 （Felmi－Dirac）统计公式分布的。 图1 绝对零度时其能量分布曲线 图2 电子的能量分布曲线 dN 4 3 1 1 即 2 2 (1) f (W) dW h3 (2m) w W Wi e  1 kT 在绝对零度时其能量分布曲线如图33－2 中曲线 （1）所示，此时电子具有最大的动 能为Wi （称为费密能级）。当温度升高时。（例如 1500K），电子的能量分布曲线如 图33－2 中 （2）所示。其中能量较大的少数电子具有比Wi 更高的能量，而且具有 这样能量的电子数随能量的增加而指数递减。 图 3 电子的逸出功 在通常温度下，金属中为什么几乎没有电子从其表面挣脱出来呢? 这是由于金 --10 属表面存在一个厚约10 米左右的电子一正电荷的偶电层，阻碍电子从金属表面 逸出。也就是说金属表面与外界之间有位能壁垒W 。电子要从金属中逸出至少具 a 有动能 ，即必须克服偶电层的阻力作功 W a （如图 3）。这个功就叫做电子的逸出功，以W。表示之，显然， W W  W e 0 a i W。的常用单位为电子伏特 （eV）它表征要使处于绝对零度下的金属中具有最  大能量的电子逸出金属表面所需要给予的能量。 称为逸出电位，其数值等于以电 子伏特表示的电子逸出功，单位为伏特。 2．热电子发射： （1）里查逊一杜斯曼公式 根据费密一狄喇克的能量分布公式（1）可以导出热电子发射的里查逊一杜斯曼 （RIChardson～Dllshman）公式 （推导见附录）： e