第9章化学汽相沉积20131116.pptVIP

常温下，TMG，TMA，DEZ都是高蒸汽压的液体，将H2 或惰性气体（载气）通入到液体鼓泡器，鼓泡器加热，将这些气体带出，与PH3，AsH3，H2Se等混合通入发应器，当流过加热基片时，这些基片就在基片表面发生热分解反应，并外延生长化合物晶体薄膜，热分解反应是不可逆的。 如在高温下使其发生热分解就可得到化合物半导体GaAs，GaAlAs， H2Se掺杂气体，掺Se,P成为n型GaAs，Ga1-xAlxAs，DEZ掺杂Zn，成为P型半导体。 由于副产物气体可能结成雾状，含有微细颗粒，所以需加过滤器，气体直接抽向大气，由于气体都是剧毒气体，所以通过加热气体处理器或溶液等，减少其直接排到大气中去。 3.MOCVD法的特点 MOCVD是近十几年迅速发展起来的新型外延技术，成功地用于制备超晶格结构、超高速器件和量子阱激光器等。 MOCVD所以得到迅速发展，主要是独特优点所决定的。MOCVD的特点是： 1) MOCVD最主要的特点是沉积温度低。 例如ZnSe薄膜，采用普通CVD技术沉积温度在850℃左右，而MOCVD仅为350℃左右；又如用四甲基硅烷为源制备SiC，生长温度300℃,远低于用SiCl4和C3H8为源的生长温度（1300℃以上）。 由于沉积温度低，因而减少了自污染（舟、衬底、反应器等的污染），提高了薄膜的纯度；许多宽禁带材料有易挥发组分，高温生长易产生空位，形成无辐