高频电子技术1-3.ppt

图1.6(b)所示电路的接入系数p为 如图1.6(c)和(d)所示。这种电路的接入系数等于线圈匝数比，即 2)负载电阻部分接入的并联谐振回路 图1.7 负载电阻部分接入的并联谐振回路 (a) 负载从电感部分接入 (b)负载从电容部分接入 (c)等效电路 图1.8 含有电抗成分的负载电阻部分接入的并联谐振回路及等效电路 (a) 部分接入的并联谐振回路 (b)等效电路 图1.9 电源部分接入并联谐振电路 (a) 电源从电感部分接入 (b) 电源从电容部分接入 (c) 等效电路 3)电源部分接入并联谐振电路 1.3 单调谐回路放大器 1.3.1 晶体管高频Ｙ参数等效电路 图1.10 共射晶体管等效为二端口网络 图1.11 共射晶体管Y参数等效电路 1.3.2 单级共射单调谐回路放大器的工作原理和等效电路 1)工作原理 (1)输入回路 它把从天线信号中选择出的有用信号输入到晶体管基极。 (2)晶体管 它是调谐放大器具有放大作用的核心部件。 (3)负载 一般由LC谐振回路构成放大器的负载，它具有选频作用。 2)等效电路 图1.12 共射单调谐回路 放大器原理电路 晶体管接入回路的接入系数为 图1.17 并项后的等效电路 1.3.3 单级单调谐回路放大器的主要技术指标 电压增益的模为 1)电压增益 表示放大器在谐振时的电压增益。 2)通频带 3)矩形系数 1.3.4 多级单调谐回路放大器 1)多级单调谐放大器的增益 若各级放大器的增益相同，则 2)多级单调谐放大器的通频带 3)多级单调谐放大器的矩形系数 1.4 双调谐回路放大器 1.4.1 双调谐回路放大器的Y参数等效电路 1.4.2 双调谐回路放大器的主要技术指标 1)电压增益 图1.19(b) 2)通频带和选择性 图1.20 双调谐回路放大器谐振曲线 1.5 小信号调谐放大器的稳定性 1.5.1 晶体管内部反馈对放大器稳定性的影响及克服方法 晶体管的反向传输导纳是引起晶体管内部反馈的主要因素，Yre越大，反馈越强，对放大器工作稳定性影响越大。 (1)中和法 中和法是解决放大器的增益和稳定性之间矛盾的一种有效措施，即在晶体管的输入端和输出端之间引入一个外加的反馈电路，使它的作用与晶体管内部反馈的作用相互抵消。 (2)失配法 失配法(单向化)的道理很容易理解，当输出电路严重失配时，输出电压相应减小，反馈到输入端的信号就进一步减弱，对输入电路的影响也随之减小。常用的办法是将两晶体管按共射-共基方式连接，做成复合管形式，使其输入和输出导纳基本上不再互相影响，另一种办法是加稳定电导gL(即阻尼电阻RL)。 1.5.2 外部干扰产生的反馈对放大器稳定性的影响及克服方法 电磁干扰的耦合途径有： (1)电容耦合 导线与导线之间、导线与器件之间、器件与器件之间，均存在着分布电容。当工作频率高到一定程度时，这些电容可能会起作用，将信号从后级耦合到前级。 (2)互感耦合 导线与导线之间、导线与电感之间、电感与电感之间，除分布电容外，在高频情况下，还存在互感。流经导线或电感的后级高频电流产生的交变磁场，可以与前级回路交链，产生不必要的耦合。 (3)电阻耦合 当前后级信号电流流经同一导线时，由于导线存在电阻，后级电流在导线上产生的电压会对前级产生影响。 (4)电磁辐射耦合 当工作频率达到射频(150 kHz以上)时，后级高频信号可以通过电磁辐射的方式耦合到前级。 针对寄生耦合的途径，在实际装置中，可以通过如下方法予以克服。 (1)整体布局时,加大级与级之间的距离,以消除由级间分布电容与回路间互感产生的寄生耦合。 (2)使器件引脚尽量短。 (3)电感器件、变压器等应采取屏蔽措施。 (4)对强干扰源或敏感接收装置应根据其性质分别采取电场、磁场与电磁场屏蔽措施。 (5)合理选择接地点。 1.6 集中选频放大器 1.6.1 基本组成与特点 集中选频放大器有以下特点： 图1.22 集中选频放大器的组成 (1)可选用矩形系数接近1的优质滤波器。 (2)变换中心频率和带宽方便。 (3)温度稳定性好。 (4)采用集成的宽放集中选频放大器，可以缩小电路体积，提高工作可靠性。 1.6.2 集中滤波器 1)陶瓷滤波器 陶瓷滤波器是利用陶瓷片的压电效应制成的，它的材料一般是锆钛酸铅陶瓷。 陶瓷滤波器的等效电路和电路符号如图1.24所示。 如果用两个陶瓷片连成图1.26所示形式,并适当选择串臂和并臂滤波器的谐振频率,即可获得比较理想的滤波特性。 2)晶体滤波器 图1.24 陶瓷滤波器的等效