摩尔定律讲义.pptVIP

Moore vs. More-Than-Moore 一、Moore’s Law 1.概念： 1965年摩尔提出了一个描述集成电路集成度和性价比的基本假说，即处理器（ CPU ）的功能和复杂性每年（其后期减慢为18 个月）增加 1倍，而成本却成比例地递减。 2.作用： 1)摩尔定律为半导体工业的发展节奏设定了基本步调 2)摩尔定律同时预测了集成电路产品的特征尺寸每 2年缩小 0.7倍，以常数速度缩小尺度的同时单位成本也跟随同步下降 3)摩尔定律使得在硅芯片单位面积里装进更多的晶体管成为可能，使集成电路的运行速度、紧凑性提高、功耗降低等性能随着增加 3.半导体发展趋势： 2001(年) 130（nm） 2003 90 2005 65 2007 45 2009 32 2011 22 应用 4.装置 制造成本 光刻机 掩模版 5.困难： 5.1 制造成本的技术制约 硅片价格与掩模成本趋势 5.2 纳米尺度的技术限制 因为根据量子理论的测不准原理，原子不能精确地定位于空间某一点，所以不可能对单个原子进行处理。同时如果芯片制造技术将达到硅的物理极限—硅层的厚度可能只有 1 nm，可能失去导电性 太薄 太薄失导电性 5.3 物理理论和思想上的限制 物理上的障碍，即集成电路和相关半导体装置的最小特征尺寸无法无限缩小。若尺寸小于一定的限度，集成电路会因量子物理法则而停止工作。 1）在尺寸缩小的同时，芯片中杂质原子的密度会增大，当这些杂质原子增加时，它们会聚集在一起并形成一个不导电束，从而使芯片无法使用。 2）门电路氧化绝缘材料变得非常薄时会出现外漏电流的情况，即沟道中的电流通过氧化层经栅极流出。当氧化层继续变薄时，它可能会导致电路失效。 3）芯片越小，产生的热量就越多，耗电量也会大大增加，这对电路本身会造成巨大的危害。 Substrate Gate Source Drain Gate stack Tunneling current ? IOFF ? Gate depletion ? EOT ? Source/Drain Parasitic resistance ? Doping level, abruptness Power ? S/D leakage current ? Gate leakage current ? Channel/Drain Surface scattering - mobility ? High E-field - mobility ? DIBL ? drain to source leakage IOFF ? Subthreshold slope ln(10)kT/q ? IOFF ? VG - VT decrease ? ION ? 6.解决方案 两个对策：More-Than-Moore Beyond CMOS 二、 More-Than-Moore 1.产生： 最近几年，在无线通信等应用的拉动下，微电子技术不仅继续沿着摩尔定律指引的按比例缩小方向(MM)发展，逐渐形成了被称作“超越摩尔定律”(MtM)的发展趋势 2.特点： 一是：采用非CMOS的等比例缩小方法，将集成电感、电容等占据大量PCB空间的无源元件集成在封装内，甚至芯片上，使电子系统进一步小型化，以达到提高其性能的目的。 二是：按需要向电子系统集成“多样化”的非数字功能，形成具有感知、通信、处理、致动等功能的微系统。 3.目的： 对环境智能所需要的意识和响应能力实现全面补充，使人体和环境实现直接接口 4.技术组成： 模拟和模拟／混合信号技术、RF技术、高压／功率技术、光电子技术、生物技术MEMS／NEMs和传感／致动等多学科和多学科融合技术 通信 军事 娱乐 安全 医疗 汽车 MTM 三、Beyond CMOS 碳纳米管 2009年美国NSF启动超越摩尔定律的科学与工程SEBML(Science and Engineering Beyond Moore‘s Law)项目要求全新的科学、工程和概念框架。例如：碳纳米管、器件小型化和系统中容错技术等等。 三者突出特性 More Moore——按比例缩小(Scaling) 几何Scaling：继续缩小片上逻辑记忆存储功能的物理特征尺寸，以求持续改善密度、性能和可靠性 等价Scaling：