数电课件第6章半导体存储器与可编程逻辑器件.pptVIP

4．串行数据检测器设计 图6-38 状态转换图 ENTITY stmch5 IS PORT( clk, x, rst: IN Bit; y: OUT Bit; st: OUT Bit_vector(1 downto 0)); END stmch5; Architecture behave5 of stmch5 is Type state_values is (s0, s1, s2); --定义枚举类型 Signal state : state_values; --定义signal类型枚举变量 Begin pro1: Process (clk, rst) Begin --进程1，时序逻辑 If rst = 1 then state = s0; y =0; --异步清零 elsif clkevent and clk=1 then Case state is --实现的是状态转换和结果输出 When s0 = if x = 1 then state = s1; y =0; else state = s0; y =0; end if; When s1 = if x = 1 then state = s2; y =0; else state = s0; y =0; end if; When s2 = if x = 1 then state = s2; y =1; else state = s0; y =0; end if; When others = state = s0; y =0; End case; End if; End process; --进程2，将时序状态译码输出 pro2: process(state) --状态state改变，输出改变 Begin Case state is When s0 = st =00; When s1 = st =01; When s2 = st =11; When others = st =10; End case; End process; End behave5; 串行数据检测器代码 图6-39 串行数据检测器仿真图 FLEX10K10 84-4 题6.1 试说明ROM和RAM的区别，它们各适用于什么场合？ 题6.2 试说明PROM种类，以及擦除和写入方法。 题6.3 试说明SRAM和DRAM存储原理有何不同？ 题6.4 一块ROM芯片有10条地址线，8条数据线，试计算其存储容量是多少？ 题6.5 某计算机具有16位宽度的地址总线和8位宽度的数据总线，试计算其可访问的最大存储器容量是多少？如果计算机已安装的存储器容量超过此数值，会怎样？ 题6.6 试用512×4的RAM芯片构成512?8的存储器。 题6.7 试用256×4的RAM芯片构成1024?4的存储器。需要一个怎样规格的二进制译码器？ 题6.8 试说明Flash ROM有何特点和用途，与其他存储器比较有什么不同？ 题6.9 试说明CPLD和FPGA各代表什么，其可编程原理各是什么？ 题6.10 试用VHDL语言设计六进制加法计数器。 习题与思考题 * * 256字X1位 已注入电荷的叠栅MOS管存入的是1。 在Gf没有注入电荷时可导通，开启电压约为2V。 注入电荷后其开启电压达7V，不能正常导通。 图6-13 热电子注入编程 3）热电子注入（Hot-electron injection）编程和紫外线擦除原理 编程 在DS间加高电压, 漏极PN结雪崩击穿，产生高速电子----热电子。 同时在控制栅加正电压脉冲，部分高速电子积累在浮栅上。 注入电荷： 图6-14 UVEPROM芯片和擦除器 擦除方式: 紫外线或X射线，距管子2厘米处照射15~20分钟；阳光下1周，荧光灯下3年。 紫外线擦除 透明窗口 擦除原理: 紫外线或X射线照射，SiO2层产生电子—空穴对，产生泻放通道。 图6-15 均匀隧道编程与擦除 4）FN隧道穿越（Fowler-Nordheim tunneling）编程和擦除原理 特点：浮栅与衬底间的氧化物层极薄（12纳米以下），称 为隧道区。当隧道区电场大于107V/