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? Synopsys 2012 * ? Synopsys 2012 * 半导体二极管 1. 二极管的基本结构和类型 点接触型:结面积小,适用于 高频检波、脉冲电路及计算机 中的开关元件。 外壳 触丝 N型锗片 正极引线 负极引线 N型锗 面接触型:结面积大,适用于 低频整流器件。 负极引线 底座 金锑合金 PN结 铝合金小球 正极引线 普通二极管 图符号 稳压二极管 图符号 发光二极管 图符号 D DZ D 使用二极管时,必须注意极性不能接反,否则电路非但不能正常工作,还有毁坏管子和其他元件的可能。 2. 二极管的伏安特性 U(V) 0.5 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与两端所加电压的函数关系。二极管既然是一个PN结,其伏安特性当然具有“单向导电性”。 二极管的伏安特性呈非线性,特性曲线上大致可分为四个区: 外加正向电压超过死区电压(硅管0.5V,锗管0.1V)时,内电场 大大削弱,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。 死区 正向 导通区 反向 截止区 当外加正向电压很低时,由于外电场还 不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运 动的阻力,故正向电流很小,几乎为零。 这一区域称之为死区。 外加反向电压超过反向击穿电压UBR时,反向电流突然增大,二 极管失去单向导电性,进入反向击穿区。 反向 击穿区 反向截止区内反向饱和电流很小,可近似视为零值。 正向导通区和反向截止区的讨论 U(V) 0.5 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 死区 正向 导通区 反向 截止区 反向 击穿区 当外加正向电压大于死区电压时,二极管由不导通变为导通,电压再继续增加时,电流迅速增大,而二极管端电压却几乎不变,此时二极管端电压称为正向导通电压。 硅二极管的正向导通电压约为0.7V,锗二极管的正向导通电压约为0.3V。 在二极管两端加反向电压时,将有很小的、由少子漂移运动形成的反向饱和电流通过二极管。 反向电流有两个特点:一是它随温度的上升增长很快,二是 在反向电压不超过某一范围时,反向电流的大小基本恒定,而 与反向电压的高低无关(与少子的数量有限)。所以通常称它为 反向饱和电流。 3. 二极管的主要参数 (1)最大整流电流IDM:指二极管长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。其大小由PN结的结面积和外界散热条件决定。 (2)最高反向工作电压URM:指二极管长期安全运行时所 能承受的最大反向电压值。手册上一般取击穿电压的一半作 为最高反向工作电压值。 (3)反向电流IR:指二极管未击穿时的反向电流。IR值越小,二极管的单向导电性越好。反向电流随温度的变化而变化较大,这一点要特别加以注意。 (4)最大工作频率fM:此值由PN结的结电容大小决定。若二极管的工作频率超过该值,则二极管的单向导电性能将变得较差。 4. 二极管的应用举例 注意:分析实际电路时为简单化,通常把二极管进行理想 化处理,即正偏时视其为“短路”,截止时视其为“开路”。 UD=0 UD=∞ 正向导通时相当 一个闭合的开关 + - + - + - D + - D + - + - D P N + - 反向阻断时相当 一个打开的开关 + - D P N (1)二极管的开关作用 (2)二极管的整流作用 将交流电变成单方向脉动直流电的过程称为整流。利用 二极管的单向导电性能就可获得各种形式的整流电路。 二极管半波整流电路 二极管全波整流电路 桥式整流电路简化图 B 220V ~ RL D IN4001 B 220V ~ RL D1 D2 二极管桥式整流电路 D4 B 220V ~ RL D1 D2 D3 B 220V ~ RL (3)二极管的限幅作用 + - D uS 10KΩ IN4148 + - u0 iD 图示为一限幅电路。电源uS是一个周期性的矩形脉冲, 高电平幅值为+5V,低电平幅值为-5V。试分析电路的输出 电压为多少。 uS +5V -5V t 0 当输入电压ui=-5V时,二极管反偏截止,此时电路 可视为开路,输出电压u0=0V; 当输入电压ui= +5V时,二极管正偏导通,导通时二极管 管压降近似为零,故输出电压u0≈+5V。 显然输出电压u0限幅在0~+5V之间。 u0 半导体二极管工作在击穿区,是否一定被损坏?为什么? 你会做吗? 何谓死区电压?硅管和锗管死区电压的典型值各为多少?为何会出现死区电压? 把一个1.5V的干电池直接正向联接到二极管的两端,
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