第4章场效应管及其基本放大电路.pptVIP

1. 场效应管的高频小信号模型 场效应管的高频等效模型 2. 场效应管基本放大电路的频率响应 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温　　　　　　　　　　　　　　度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和　　　　　　　　　　　　　　　超大规模集成　　 晶体管 场效应管 场效应管 1. 分类 按导电沟道分 N 沟道 P 沟道 按结构分 绝缘栅型 (MOS) 结型 按特性分 增强型 耗尽型 uGS = 0 时， iD = 0 uGS = 0 时， iD ? 0 增强型 耗尽型 (耗尽型) 2. 特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高，工艺简单，易集成 由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和 输出特性描述 3. 特性 不同类型 FET 的特性比较参见 图1.4.13 第 43-44页。 不同类型 FET 转移特性比较 结型 N 沟道 uGS /V iD /mA O 增强型 耗尽型 MOS 管 (耗尽型) IDSS 开启电压 UGS(th) 夹断电压UGS(off) IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 4.3　场效应管基本放大电路 场效应管是电压控制电流元件，具有高输入阻抗。 场效应管放大电路的三种接法 （以N沟道结型场效应管为例） 场效应管放大电路的三种接法 （a）共源电路　　（b）共漏电路　　（c）共栅电路 基本共源放大电路 VDD + uO ? iD T ~ + ? uI VGG RG S D G RD 与双极型三极管对应关系 b ? G , e ? S , c ? D 为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足： 　N 沟道增强型 MOS 场效应管组成的放大电路。 (UT：开启电压) 4.3.1 场效应管共源基本放大电路 1. 分压式偏置电路 分压式偏置电路 + ? T + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + (一)Q点近似估算法 根据输入回路列方程 解联立方程求出 UGSQ 和 IDQ。 列输出回路方程求 UDSQ UDSQ = VDD – IDSS(RD + RS) 将IDQ 代入，求出UDSQ 一、静态分析－－ UGSQ 、 IDQ、 UDSQ Q点： UGSQ 、 IDQ 、 UDSQ UGSQ = UDSQ = 已知UP 或 UGS（Off)　 VDD - IDQ (Rd + R ) -IDQR 可解出Q点的UGSQ、 IDQ 、 UDSQ 2. 自给偏压电路 JFET自给偏压共源电路 IDQ MOS管的低频小信号等效模型 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 + + — — g d S s g d 二、动态分析 1. 场效应管的微变等效电路 微变参数 gm 和 rDS 用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近，可用 IDQ 表示上式中 iD，则 　　一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rDS 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rDS 小得多时，可认为等效电路的 rDS 开路。 2. 动态分析 VDD + uO ? iD T ~ + ? uI VGG RG S D G RD 基本共源放大电路的等效电路 将 rDS 开路 而 所以 输出电阻 Ro = RD MOS 管输入电阻高达 109 ?。 - D + + - G S RG + - 电压放大倍数 4.3.2 场效应管共漏基本放大电路 ——源极输出器或源极跟随器 共漏基本放大电路 　　典型电路如右图所示。 + VT + S D G R2 VDD + RL RS R1 C1 C2 + + ? RG 1.静态分析 分析方法与“分压-自偏压式共源电路”类似，可采用估算法和图解法。 2.动态分析 （1） 电压放大倍数 微变等效电路 而 所以 （2） 输入电阻 Ri = RG + ( R1 // R2 ) — D + + - G S + — （3）输出电阻 微变等效电路 在电路中，外加 ，令 ，并使 RL 开路 因输入端短路，故 则 所以 实际工作中经常使用的是共源、共漏组态。 — D + + - G S ~ 4.3.2 场效应管基本放大电路的频率响应 * 第4章 场效应管及其基本放大电路 4.1 引言 4.2 场效应管 4.3 场效应管基本放大电路 1. 场效应管是如何通过栅源电压控制漏极电流的？