新光电第四章第三、四、五节.pptVIP

第四章 第三节 光电导器件 一、光电导效应 光照变化引起半导体材料电导变化的现象。 在大多数半导体和绝缘体中都存在光电导效应； 金属由于本身已存在大量自由电子，因此不产生光电导效应。 当光照射到半导体材料时，晶格原子或杂质原子的束缚态电子，吸收光子能量并被激发为传导态自由电子，引起材料的载流子浓度增加，因而导致材料的电导率增大。因光生载流子仍保留在材料内部，因此光电导效应是一种内光电效应。 半导体材料对光的吸收分为本征吸收和非本征吸收两种，因此光电导效应也分为本征光电导效应和非本征光电导效应两类。 第四章 第三节 光电导器件 (一)本征光电导 光子能量大于材料禁带宽度的入射光，激发出电子空穴对，使材料产生光电导效应的现象。 (4-30) 本征光电导材料的截止波长： (4-31) 第四章 第三节 光电导器件 1．稳态光电导 取材料样品如图4-14所示，样品两端敷有电极，沿电极方向加有电场，当在垂直于电极方向有均匀光照入射到样品表面，且入射光通量恒定时，样品中流出的光电流称为稳态光电流。 第四章 第三节 光电导器件 无光照时，半导体材料在常温下具有一定的热激发载流子浓度，此时材料处于暗态，具有一定的暗电导率： (4-33) G——样品电导；下标d代表暗态； σ——半导体材料电导率； S——样品横截面面积； L——样品长度。 如果给样品外加电压U，通过的电流为暗电流： (4-34) 第四章 第三节 光电导器件 有光照时，样品吸收光子能量产生光生载流子，此时材料处于亮态，具有亮电导： (4-35) 亮态下，样品在外加电压下流出的电流称为亮电流： (4-36) 式中，下标l代表亮态。 第四章 第三节 光电导器件 亮电导Gl与暗电导Gd之差称为光电导Gp： (4-37) Δσ为光致电导率的变化量，亮电流与暗电流之差称为光电流Ip： (4-38) 第四章 第三节 光电导器件 2．光电导弛豫过程 光电导效应的弛豫现象——光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流需要经过一定的时间。 当用矩形光脉冲照射光电导体时，常用上升时间常数和下降时间常数来描述弛豫过程的长短。 第四章 第三节 光电导器件 当输入光功率按照正弦规律变化时，输出光电流(对应于光生载流子浓度)与光功率调制频率变化的关系具有低通特性，说明光电导的弛豫特性限制了器件对调制频率高的光功率的响应： 截止频率fc=1/2πτ。 时间常数τ决定光电器件响应的带宽。 第四章 第三节 光电导器件 3．光电导增益 光电导增益——长度为L的光电导体在两端加上电压U后，由光生载流子在电场作用下形成的外电流与光生载流子在内部形成的光电流之比。 理论分析表明，光电导增益可以表示为： (4-40) M——光电导增益； τ—