脱氢表雄酮硫酸酯对地佐环平所致记忆小鼠的作用及对NMDA刺激的PC12细胞钙离子的影响.docVIP

PAGE PAGE 1 脱氢表雄酮硫酸酯对地佐环平所致记忆小鼠的作用及对NMDA刺激的PC12细胞钙离子的影响 　　摘要：为了探讨脱氢表雄酮硫酸酯对地佐环平所致记忆小鼠的作用及对PC12细胞钙离子的影响。本研究采用地佐环平（0.15mg?kg■，ip）造成小鼠记忆损伤模型，利用被动逃避实验评价小鼠记忆成绩。培养的PC12细胞用Fura-2/AM负载，用荧光分光光度计测量PC12细胞钙离子变化。在被动逃避实验中，地佐环平造成小鼠记忆损伤，脱氢表雄酮硫酸酯（10、20mg?kg■，sc）预处理能减少跳台错误次数（P0.01），延长跳台潜伏期（P0.01）和避暗潜伏期（P0.01）。NMDA刺激的PC12细胞模型[Ca■]■明显增高（P0.05），脱氢表雄酮硫酸酯（100μmol?L■）预处理后与模型组相比[Ca■]■明显增高（P 　　关键词：脱氢表雄酮硫酸酯地佐环平记忆PC12Ca■ 　　1.材料与方法 　　1.1实验动物 　　昆明种小鼠（清洁级，合格证号№SCXK沪2002-0002，购自本校实验动物科学部），♂，体重20～25g，自由进食水和饲料。试验前3d，使小鼠熟悉实验室环境，每日9：00～15：00在隔音的环境中进行行为学实验。 　　1.2药物与制剂 　　脱氢表雄酮硫酸酯（Sigma公司，批号111K1539）；地佐环平（Sigma公司，批号022K4611）；Fura-2/AM；NMDA（Fluka公司，批号425618/1）HEPES（批号060517，购自华美生物工程公司）；RPMI1640（1285082，购自GIBCOTMInvitrogenCorporation）；胰蛋白酶。 　　1.3动物实验方法 　　1.3.1动物分组和给药方案 　　1.3.2跳台实验 　　训练时先将小鼠放在反应箱中适应3min，然后通以35V、50Hz的电流，小鼠受到电击的正常反应是跳上平台，如此训练5min。24h后测验，记录5min内错误次数及第1次跳下平台的潜伏期。如果5min时小鼠仍未跳下平台，则潜伏期记为300s。 　　1.3.3避暗实验 　　实验装置分为明暗两室，暗室底部铜栅可通以电流。训练时先将小鼠放入反应箱中适应3min，然后暗室底部通以36V、50Hz的电流，将小鼠背对洞口放入明室，小鼠进入暗室则受到电击。24h后再次将小鼠放入明室，记录5min内进入暗室的潜伏期。如果5min时小鼠仍未进入暗室，则潜伏期记为300s。 　　1.4细胞实验方法 　　1.4.1PC12细胞培养 　　2.结果 　　2.1脱氢表雄酮硫酸酯对记忆损伤小鼠跳台实验和避暗实验的影响 　　与空白组相比，模型组跳台错误次数显著增多（P0.01，表1），跳台潜伏期和避暗潜伏期均明显缩短（P0.01，表1）。与模型组相比，脱氢表雄酮硫酸酯（10、20mg?kg■，sc）预处理显著减少错误次数（P0.01，表1），延长跳台潜伏期（P0.01、P0.05，表1）和避暗潜伏期（P0.05，表1）。 　　脱氢表雄酮、脱氢表雄酮硫酸酯是人体循环内主要的甾体激素，研究表明随着年龄的增加在体内的水平会逐渐减低，在年老的SD大鼠、C578L/6和SAM小鼠也发现与空白组相比脱氢表雄酮、脱氢表雄酮硫酸酯在海马、皮层和小脑有明显降低。它对脑有直接作用可对多种记忆损伤模型有记忆增强作用。地佐环平是NMDA受体拮抗剂，可以造成记忆力明显减退，是很好的记忆损伤模型[3]，[4]。为了排除雌性小鼠动情周期对体内甾体激素浓度的影响，故选用雄性小鼠作为研究对象。本实验结果表明，在被动逃避实验中，与空白组相比，地佐环平增加跳台的错误次数，缩短跳台潜伏期和避暗潜伏期，表明地佐环平造成记忆力下降。预先给予脱氢表雄酮硫酸酯（10、20mg?kg■，sc）能减少错误次数，延长跳台潜伏期和避暗潜伏期，但2个剂量之间未见差异。 　　近年来大量文献认为，LTP是学习记忆的细胞突触模式，LTP的形成和维持需要NMDA受体的参与，动物实验研究显示谷氨酸能神经系统通过激活NMDA受体对学习过程产生重要作用[5]。NMDA是NMDA受体的特异性配体，可以特异性激活NMDA受体，从而引起细胞外Ca■内流，因此我们可以通过观察细胞内游离Ca■浓度判断NMDA受体的功能。PC12细胞是一种从大鼠嗜铬细胞瘤分离的克隆细胞，神经生长因子分化及未分化的PC12细胞上均存在丰富的NMDA受体，是研究神经细胞NMDA受体的良好模型。 　　脱氢表雄酮硫酸酯和孕烯醇酮硫酸酯等兴奋性神经甾体可以直接或间接的作用于NMDA受体[5]，许多急性实验也证明脱氢表雄酮硫酸酯可以提高NMDA受体的功能[6]。本实验通过100μmol?L■脱氢表雄酮硫酸酯预处理NMDA刺激的PC12细胞24h后，钙离子浓度明显增高，显示出NMDA受体功