半导体物理与器件基础总复习.pptVIP

半导体物理Semiconductor Physics 谢谢大家！ * * 雷天民 西Ⅱ-207 leitianmin@163.com 一、基本概念、方法和规律： 能带相关概念（空带、满带、导带、价带、禁带）及其形成，有效质量及其意义，空穴； k空间、布里渊区、椭球等能面、回旋共振实验、纵向有效质量、横向有效质量； 能带结构、能谷、硅的能带结构、锗的能带结构、砷化镓的能带结构、禁带宽度随温度的关系； 1）第一章： 2）第二章： 杂质与杂质能级、施主杂质与受主杂质； 浅能级杂质电离能的简单计算——类氢模型； 杂质补偿作用、深能级杂质的特点、作用及形成等 3）第三章： 热平衡载流子、k 空间量子态、导带底电子状态密度、价带顶状态密度、状态密度有效质量； 费米分布、玻耳兹曼分布、费米能级及其与杂质浓度和温度的关系、本征半导体及本征激发、本征载流子浓度； 电中性条件、杂质电离能及电离过程、简并半导体、简并化条件； 载流子冻析效应、禁带窄化效应； 4）第四章： 漂移运动、平均漂移速度、电流密度、迁移率、电导率； 平均自由时间与散射概率的关系、半导体中的散射机构（杂质散射、晶格散射等）； 电阻率与杂质浓度和温度的变化关系； 热载流子、多能谷散射、负微分电导、负阻效应、高场畴、耿氏振荡 5）第五章： 非平衡载流子、光注入、少子寿命、准费米能级； 复合的相关概念、复合中心、俘获系数、金在硅中的复合作用、陷阱效应； 扩散定律、稳态扩散方程、扩散流密度、扩散电流、漂移电流、爱因斯坦关系式、连续性方程； 6）第六章： p-n结的形成及其特点； 表面态、表面驰豫、表面重构、表面电场的产生等； 金半结的形成，肖特基接触、欧姆接触等； 二、例题选讲： 例1、锑化铟介电常数ε=17，电子有效质量mn=0.014m， 试计算： 1）浅施主的电离能和基态轨道半径； 2）相邻施主上的基态电子轨道开始交叠时的施主浓度。当超过这个浓度时，将出现什么效应? (已知氢的基态电离能E0＝13.6eV，玻尔半径a0＝0.53?) [解] 1）利用类氢模型，基态电离能和基态轨道半径分别为 (?) 2）设想施主杂质均匀地排列成一个立方格子，那么Nd-1/3 即表示相邻杂质小心的距离。所以 当施主浓度越过这个数值时，相邻施主上的基态电子轨道将发生交叠，这时杂质能级将扩展成一个杂质能带。即束缚于杂质上的电子，可以在不同杂质原子之间转移，杂质带表现出一定的导电性。不过与晶体能带中的电子相比，杂质带中的电子运动要困难得多。只是在低温下，当能带中的载流子对电导的贡献变得很小时，杂质带的导电性才可以表现出来。 例2、试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V·S和500cm2/V·S。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？ [解] T=300K，μn＝1350cm2/V·S，μp＝500 cm2/V·S 掺入As浓度为ND=5.00×1022×10-6=5.00×1016cm-3 杂质全部电离， 查图4-14可得：μn＝900cm2/V·S 增大了162万倍 例3、求室温下掺锑的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 [解]由 可知，EFED，∵EF标志电子的填充水平，故ED上几乎全被电子占据，又∵在室温下，故此n型Si应为高掺杂，而且已经简并了。 即 故此n型Si应为弱简并情况。 其中 例4、掺有1.1×1016 cm-3硼原子和9×1015cm-3磷原子的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。 [解] NA＝1.1×1016 cm-3，ND＝9×1015 cm-3 可查图4－15得到 根据 查图4－14得μ，然后计算可得 例5、某p型半导体掺杂浓度NA＝1016/cm3，少子寿命为10μs ，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018/cm3s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时4的费米能级比较。设本征载流子浓度ni=1010/cm3。 解、1）无光照时，空穴浓度 即：无光照时，费米能级在禁带中线下面0.36eV处。 2）稳定光照后，产生的非平衡载流子为