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晶体生长和外延 《大规模集成电路制造工艺》 1 共价键 金刚石结构 四面体二维空间结构简图 2 3 4 拉晶过程 1. 熔硅 将坩埚内多晶料全部熔化； 2. 引晶 将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发 性杂质同时可减少热冲击。当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触，籽晶向上拉， 控制温度使熔体在籽晶上结晶； 5 拉晶过程 3. 收颈 指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部 分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位 错的延伸。颈一般要长于20mm 。 6 拉晶过程 4. 放肩 缩颈工艺完成后，略降低温度(15-40℃) ，让晶体逐渐长大 到所需的直径为止。这称为 “放肩” 。 7 拉晶过程 5. 等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体 直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是 等径生长。此时要严格控制温度和拉速。 8 拉晶过程 6. 收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔 体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。 9 300 mm （12inch）和400 m （16inch）的硅晶锭 10 k 1  M  0 C k C 1  s 0 0  M   0  11 Cs C k0 = k  s