半导体器件物理Chapter2－3.pdf

2.3 理想PN结的直流电流-电压特性 半导体器件物理 电子与信息学院 由于PN结具有单向导电性，因此可作为二极管使用。 + − PN 结二极管的符号为： P区 N区 本节主要讨论： 1. 中性区与耗尽区边界处的少子的浓度与外加电压 的关系。这将被用做求解微分方程的边界条件。 2. PN 结耗尽区及两侧中性区内的载流子浓度分布。 3. PN 结的正向电流、反向电流。 半导体器件物理 电子与信息学院 • 理想的P-N结的基本假设及其意义 外加电压全部降落在耗尽区上，耗尽区以外的半导体是电中 性的，这意味着忽略中性区的体电阻和接触电阻。 均匀掺杂。无内建电场，载流子不作漂移运动。 空间电荷区内不存在复合电流和产生电流。 p p e V V T n V V T P 小注入，即 n 0 和 P0 n n 0 n n e p p 0 半导体非简并 半导体器件物理 电子与信息学院 一、PN结正向偏置下的电流－电压特性 1、PN结正向电流 正向偏压下载流子的运动情况 外加电场 内建电场 P N 平衡时 外加正向电压时 ε 面积为 ψ0 面积为 ψ −V 0 x 0 半导体器件物理 电子与信息学院 2、PN结正向电流 正向电流由三部分组成： 1. 空穴扩散电流：Idp (推导在N 区中进行）。 2. 电子扩散电流：Idn (推导在P 区中进行）。 3. 势垒区复合电流：Irec (推导在势垒区中进 行）。（在2.4节中讲） 半导体器件物理 电子与信息学院 I= P区 I dp N区 I +I +I dp dn rec I dn