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2.5 I-V特性的温度依赖关系
半导体器件物理 电子与信息学院
• 当P-N结处于正向偏置时
V V
( T ) （2-48）
I I e − 1
0
⎛ D D ⎞
⎜ p n ⎟2
I qA + n （2-49b）
0 L⎜N L N ⎟i
p d n a ⎠
⎝
qAnW V 2V （2-57）
I i e T
rec 2τ
0
有 I 2τ ⎛ D D ⎞
d 0 ⎜ p n ⎟V V 2 T （2-66）
+ n e
I W L⎜N L N ⎟i
rec p d n a ⎠
⎝
（2-66）式中 ni 随温度的增加而迅速增加，可见在高于室温时，不
太大的正偏压（∼0.3V）就使 I d 占优势。
半导体器件物理 电子与信息学院
I I
• 当P-N结处于反向偏置时， d 0 ，
I 2τ ⎛ D D ⎞
d ≈ 0 ⎜ p + n ⎟ （2-67）
n
⎜ ⎟i
I W L N L N
rec p d n a
⎝ ⎠
n
随着温度增加， i 增大，也是扩散电流占优势。
反向偏压情况下，二极管 特性的温度效应 ：
I V−
⎛ D D ⎞
⎜ p n ⎟ 2 （2-49b）
I qA + n
0 L⎜N L N ⎟i
p d n a ⎠
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