半导体器件物理Chapter6－1.pdf

第六章 金属—氧化物—半导体 场效应晶体管 半导体器件物理 © Dr. B. Li Lienfeld和Heil于30年代初就提出了表面场效应晶体管 原理。 40年代末Shockley和Pearson进行了深入研究。 1960年Kahng和Alalla应用热氧化硅结构制造出第一只 MOSFET 。 MOSFET是大规模集成电路中的主流器件。 MOSFET是英文缩写词。 其它叫法：绝缘栅场效应晶体管（IGFET ）、 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET ）、 金属-氧化物-半导体晶体管（MOST ）等。 半导体器件物理 © Dr. B. Li 随着集成电路设计和制造技术的发展，目前大部分超大 规模集成电路都是MOS集成电路。MOS结构的工作原理早 在30年代就已提出，但由于但是对半导体表面的研究以 及对制造致密氧化膜的技术尚不成熟，致使MOS结构迟 迟不能变成现实。自1960年使用二氧化硅作为栅绝缘层 的MOS晶体管问世以来，MOS晶体管及集成电路有了很大 发展。目前在数字集成电路，尤其是微处理机和存储器 方面，MOS集成电路几乎占据了绝对的位置。此外，MOS 在一些特种器件，如CCD（电荷耦合器件）和敏感器件 方面应用广泛。 半导体器件物理 © Dr. B. Li MOS场效应晶体管的结构 D(Drain)为漏极，相当c ； G(Gate)为栅极，相当b ； S(Source)为源极，相当e 。 B(substrate),衬底极。 通常接地，有时为了控制电 流或由于电路结构的需要，在 衬底和源之间也加一个小偏压 (VBS). 半导体器件物理 © Dr. B. Li 对NMOS晶体管，源和漏是用浓度很高的N＋杂质扩 散而成。在源、漏之间是受栅电压控制的沟道区， 沟道区长度为L，宽度为Z(W) 。 对于NMOS，通常漏源之间加偏压后，将电位低的一端 成为源，电位高的一端称为漏，电流方向由漏端流向 源端。 半导体器件物理 © Dr. B. Li 载流子运动方向： S→D 电压： 电极上的电位：V ，V ，V ，V G S D B 栅源电压：V 漏源电压：V GS DS 衬偏电压：V BS 电流： 漏极电流：ID （流入为正） 栅极电流：IG （直流时≈0 ） 衬底极电流：IB