半导体器件物理quiz2(Bipolar Transistor).ppt

1、 画出正向偏置的NPN晶体管在如下情况的基区少数载流子分布：（1）发射结偏压增加，集电结偏压固定；（2）发射结偏压固定，集电结偏压增加；（3）共发射极模式，基极开路。 2、 分析Early Effect和Kirk效应对电流增益和特征频率的影响，并画出电流增益和特征频率随集电极电流的变化规律。 4、在双极晶体管开关过程中发射结偏压和集电结偏压是如何变的。 延迟过程：发射结偏压由反偏向正偏(0.5V)导通过渡， 集电结偏压由大的反偏到小的反偏过渡。 上升过程：发射结偏压由正偏(0.5V)到导通(0.7V) ， 集电结偏压由反偏到零偏过渡。 贮存过程：发射结正偏压基本不变， 集电结偏压由正偏到零偏过渡。 下降过程：发射结偏压由导通(0.7V)到正偏 (0.5V) ， 集电结偏压由零偏到大的反偏过渡。 5、比较pn结二极管和BJT的开关特性。 相同点：正向导通有压降，反向截止有漏电流；输入、输出存在 延迟。 不同点：晶体管开关有电流及电压放大；晶体管输入、输出电压 相位相差180o，二极管同相位。 Semiconductor Devices: Basic Principles ? Dr. B. Li Early效应的影响： VCB增加，xmc增加→ xB下降→?增加，fT增加 Kirk效应的影响： xB增加→?下降，fT下降 小电流段，τE反比于Ic变化，因而 Ic增大总渡越时间减小， fT升高。Ic增加到τE远小于其它时间常数之和时，τEC趋近于常数,fT达到最高值。随着Ic继续增大,fT出现下降趋势是由于有效基区的扩展效应（Kirk）效应）开始起作用。 3、解释BVCB0＞BVCE0， 并证明 ICE0=(1+?)ICB0。 IC=?IE+ICB0 由于基极开路， IB＝0， IC=IE＝ICE0 因此， ICE0=?ICE0+ICB0 由于，?＝?/1-? 所以， ICE0=(1+?)ICB0 大注入电场是指pn 结正向注入的少数载流子超过平衡的多数载流子浓度，此时，电中性的要求，少子要有和多子一样的浓度分布，如在npn晶体管的基区，电子的分布需要一个由集电结指向发射结的电场来完成，该电场即为大注入电场，可见大注入电场对基区非平衡少子的扩散运动起加速作用，有助于双极晶体管电流增益的提高。 非均匀掺杂电场，以npn晶体管的基区为例，由于基区的掺杂浓度自发射区向集电区递减，空穴浓度差使得空穴向集电区方向扩散，造成正、负电荷分离，留下不可动的电离受主，因而产生了由集电结指向发射结的电场，该电场即为非均匀掺杂电场。可见非均匀掺杂电场对基区非平衡少子的扩散运动起加速作用，有助于双极晶体管电流增益的提高。 6、比较pn结内建电场、大注入电场和基区非均匀掺杂电场的物理机制。 Semiconductor Devices: Basic Principles ? Dr. B. Li