半导体器件物理Chapter5.pdf

第五章 结型场效应晶体管和 金属半导体场效应晶体 -JFET AND MESFET 半导体器件物理 © Dr. B. Li 场效应晶体管（Field Effect Transistor)是一 种电压控制器件，用输入电压控制输出电流的半 导体器件，仅由一种载流子参与导电。从参与导 电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟 道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 半导体器件物理 © Dr. B. Li 从场效应晶体管的结构来划分，它有三大类。 1.结型场效应晶体管JFET (Junction Type Field Effect Transistor) 2.金属半导体场效应晶体管MESFET ( Metal Semiconductor Field Effect Transistor) 3.金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ） 半导体器件物理 © Dr. B. Li JFET AND MESFET • 1952年W.Shockley 第一次提出JFET 器件并对 其特性进行了分析讨论，提出了Shockley模型。 • 1953 年 G.C.Dacey 和 I.M.Ross 制造出第一只 JFET 。 • C.A.Mead于1966年首次报道了MESFET器件。 • 1967年W.W.Hooper 和W.I.Lehrer 公布制造出 第一只MESFET 。 半导体器件物理 © Dr. B. Li 5.1 JFET的基本结构和工作过程 • 一、JFET 的基本结构 图5-1 由两种工艺制成的N 沟道JFET （a）外延—扩散工艺 （b）双扩散工艺 源极－Source－S 漏极－Drain－D 栅极－Gate－G：上栅、下栅 半导体器件物理 © Dr. B. Li 5.1 JFET的基本结构和工作过程 二、工作原理 场效应：半导体的电导(率)被垂直于半导体表面的电场调制的效 应。 V 0 V V V 图5-2 的JFET：（a） ＜ V ，（b） D = ，（c）理想的漏极特性 G D P P 半导体器件物理 © Dr. B. Li 5.1 JFET的基本结构和工作过程 JFET 的几个突出的特点: ① JFET 的电流传输主要由一种型号的载流子— 多数载流子承 担，不存在少数载流子的贮存效应，因此有利于达到比较高的 截止频率和快的开关速度。 ② JFET是电压控制器件。它的输入电阻要比BJT 的高得多，在 应用电路中易于实现级间直接耦合，因此其输入端易于与标准 的微波系统匹配。 半导体器件物理 © Dr. B. Li ③由于是多子器件，因此抗辐射能力强。 ④与BJT及MOS工艺兼容，有利于集成。 早期的大多JFET用半导体硅材料制做，进入二十世纪 九十年代，LnP、GaLnAsP等化合物半导体JFET被成功地制 造出来，它们易