半导体器件物理Chapter2－7.pdf

2.7 pn结电容 半导体器件物理 电子与信息学院 • PN结在不同的偏置下，存贮的电荷会发生变化， 这说明PN结具有电容效应。 • PN结中有两类电荷随外加电压变化，因此存在两 种类型的电容 –势垒电容CT –扩散电容CD 半导体器件物理 电子与信息学院 (1)势垒电容 • 当外加电压V 变化时，pn结的空间电荷宽度跟着发 A 生变化，因而势垒区的电荷量也就随外加电压变化 而变化。这相当PN结中存储的电荷量也随之变化， 犹如电容的充放电效应。因为发生在势垒区，故称 势垒电容，用CT表示。 • pn结反偏时，势垒电容起主要作用 实际扩散结的杂质分布为余误差函数或高斯函数，因 此，扩散结势垒电容的计算十分复杂，通常采用查表法。 半导体器件物理 电子与信息学院 (2) 扩散电容 • 在交流状态下，pn结在直流偏置V 上迭加交流信号 A v(t)。既然pn结外加电压包括直流分量和交流分量， 必然引起注入少子浓度也包含直流和交流分量。 • PN结扩散电容来源于扩散区积累的过剩载流子电荷随 外加电压的变化。过剩载流子随外加电压变化的同 时，空间电荷区两侧的扩散区电荷也有变化。扩散区 是中性的，积累过剩载流子的同时，在同一区也必然 积累等量的过剩多子。 半导体器件物理 电子与信息学院 • 外加电压变化时，扩散区任意小的局部范围内，电子 和空穴的数量都以相同的速率增加和减少；充放电过 程中，扩散区始终维持电中性。所以，扩散电容的正 负电荷应理解为空间同一位置上价带里的空穴和导带 中的电子。 •pn结正偏时，扩散电容起主要作用。 耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管 半导体器件物理 电子与信息学院 • 耗尽层电容(突变结） ( ) （2-74） Q qAN W A qK 2ε ψ V +N d 0 0 R d dQ C ≡ （2-75） dV R 1 2 qk⎡ N ε0 d ⎤ C A ≡ ⎢ ⎥ （2-76） ( ) 2 V +ψ0 ⎣ R ⎦ C称为过渡电容或耗尽层电容有时亦称为势垒电容： PN结空间电荷区空间电荷随外加偏压变化所引起的电容。 1 2 1 C 2 V (V +ψ ) （2-77） 常用