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- 2019-10-12 发布于广东
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3一4一1 常贝的光中式传感器 返回 图3一4一4 光电倍增管 返回 图3一4一5 光敏中阳 返回 图3一4一6 光电极管原理图 返回 图3一4一7 光中份极管原理图 返回 图3一4一8 光中池与外中路的疼接力一式 返回 图3一4一8 直射型光中式传感器示意图 返回 图3一4一9 反射型光中式传感器T点图 返回 图3一4一10 光中式数字转速表工作原理图 返回 图3一4一11 硅中汕 返回 图3一4一12 安装器件 返回 图3一5一1 常贝的热中倡传感器 返回 图3一5一2 热中效应示意图 返回 图3 -5一3 加入中间导体的热中倡 返回 图3一5一4 中间温度宗律 返回 图3一5一5 热中倡测量炉温系统不点图 返回 图3一5一6 徽浴炉温度控制系统兑枢图 返回 图3一5一7 K型热申偶 返回 图3一5一8 温度传感器实验模块 返回 图3一4一2 光中管 返回 图3一4一3 光中管受光照发射中子 返回 图3一4一4 光电倍增管 返回 图3一1一5 石英晶体的压中效应 返回 图3一1一6 压申陶咨极化处理 返回 图3一1一7 膜片式测压传感器 返回 图3一1一8 压式加辣度传感器 返回 图3一1 -9 压力式测力传感器 返回 图3一1一10月电式流量计 返回 图3一1一11 脉搏计中用到的压中式传感器 返回 图 3一1一12 压电式传赚器 返回 图1 3一1一13 压电传感器实验模块 返回 图3一1一14 榕线中路 返回 图1 3一1一15 实验中路 返回 图3一2一1 常用的磁中式传感器 返回 图3一2一2 中磁感应 返回 图3一2一3 变磁诵式结构 返回 图3一2一4 变磁阳式磁中式传感器的典型结构 返回 图3一2一5 磁中式传感器测量扭矩 返回 图3一2一6 磁敏式传感器 返回 图3一2一7 安装器件 返回 表3一2一1记录数据 返回 图3一3一1 常见霍尔式传感器 返回 图3一3一2 霍尔元件 返回 图3一3一3 霍尔开关集成传感器 返回 图3一3一5 霍尔线性集成传感器及其中一端输出中路 返回 图3一3一5 霍尔线性集成传感器及其中一端输出中路 返回 图3一3一6 霍尔式集成传感器的双端输出中路 返回 图3一3一7 高斯计 返回 图3一3一8 中流计示意图 返回 图3一3一9 转辣计示意图 返回 图3一3一10 霍尔式位移传感器 返回 图3一3一11 测位移示意图 返回 图3一3一12 线性关系 返回 图3一3一13 安装器件图 返回 任务三 使用霍尔式传感器 2.霍尔式传感器测量转速的工作原理 利用霍尔效应: UH= KHHB ,当被测圆盘上装上N只磁性体时,转盘每转一周磁场变化N次,每转一周霍尔电势就同频率相应变化,输出电势通过放大、整形和计数电路就可以测出被测旋转物的转速。 上一页 返回 任务四 使用光电式传感器 活动1光电式传感器概述 光电式传感器是以光电元件作为转化元件,可以将被测的非电量通过光量的变化再转化成电量的传感器。图3一4一1所示为常见光电式传感器。 1.光电式传感器的工作原理 光电式传感器的物理基础是光电效应。光电效应是指金属或半导体等材料在光照下释放电子的现象,通常可分为外光电效应、内光电效应等类型。 1)外光电效应 在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。 下一页 返回 任务四 使用光电式传感器 2)内光电效应 当光照射在物体上,使物体的电阻率P发生变化,或产生光生电动势的现象叫做内光电效应,它多发生于半导体内。根据工作原理的不同,内光电效应分为光电导效应(在光线的作用下,物体的导电性能发生变化)和光生伏特效应(在光线的作用下,物体产生一定方向的电动势)两类。 (1)光电导效应:在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电导率的变化,这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。) 上一页 下一页 返回 任务四 使用光电式传感器 (2)光生伏特效应:在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。 2.光电元件及特性 1)光电管和光电倍增管 光电管种类很多,它是装有光阴极和阳极的真空玻璃管,结构如图3 -4一2所示。图3 -4 -3阳极通过RL与电源连接在管内形成电场。光电管的阴极受到适当的照射后便发射光电子,这些光电子在电场作用下被具有一定电位的阳极吸引,在光电管内形成空间电子流。电阻R上产生的电压降正比于空间电流,其值与照射在光电管阴极上的光成函数关系。如果在玻璃管内充人惰性气体(如氢、氖等)即构成充气光电管。 上一页 下一页 返回 任务四 使用光电式传感器 由
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