模电 第2章 半导体二极管及其基本电路资料教程.pptVIP

（4） 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 （5） 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 二极管的模型 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 特点：死区电压=0 正向导通压降=0 反向饱和电流=0 特点：正向导通压降 =死区电压 =0.7V或0.3V 反向饱和电流=0 特点：正向导通压降 =死区电压 =0.5V或0.2V 反向饱和电流=0 二极管电路分析举例（1）