模拟电路第一章-二极管培训讲学.pptVIP

二极管的反向特性 阳极 阴极 + - u u0 U(BR) ＜u＜0 反向电流很小 u＞ U(BR) 反向电流急剧增加 u i IS 反向 饱和电流 U(BR) 反向 击穿电压 基本不随反向电压的变化而变化 二极管发生击穿 (2) 不同材料二极管伏安特性的区别 u/V i 锗材料 硅材料 硅材料PN结平衡时的耗尽层电势比锗材料的大 0.5 1.0 硅管0.6~0.8V 导通压降 硅管〈0.1μA 反向饱和电流 -10μA 锗管0.1~0.3V 锗管 几十μA (3) 温度对二极管伏安特性的影响 u i 80℃ 20℃ 正向区：温度升高，曲线左移 反向区：温度升高，曲线下移 1.2.3 半导体二极管的参数 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 二极管工作时允许外加的最大反向电压 (1)最大整流电流 IF 与PN结结面积和散热条件有关 (2)最高反向工作电压UR 通常为击穿电压U(BR)的一半 (3)反向电流IR 二极管未被击穿时的反向电流 一般是指最大反向工作电压下的反向电流值。 反向电流越小越好。 u i IR UR 1.2.4 二极管的等效电路 二极管是非线性器件， 由二极管构成电路是非线性电路。 分析困难 用线性元件构成的电路来近似模拟二极管的特性 二极管的等效电路 多种等效电路， 根据应用要求进行选择 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。 r