半导体物理与器件第五章2.pptVIP

半导体物理与器件 陈延湖 5.2 载流子的扩散运动 电场作用下的漂移运动(√) 扩散电流密度 当半导体内的载流子分布不均匀时，会出现载流子由高浓度处向低浓度处的扩散运动。 扩散流密度（流速）Fn(x) ：单位时间通过扩散的方式流过垂直的单位截面积的载流子数 可见载流子扩散流密度（流速）正比于载流子浓度梯度，扩散流向与梯度方向相反 载流子为带电流子，其扩散运动将产生扩散电流 扩散电流密度： 载流子的总电流密度 以均匀掺杂N型材料为例，若在 x 方向加光照、加电场E，载流子既做漂移运动又做扩散运动，相应产生扩散电流和漂移电流 5.3 杂质梯度分布 该电场的存在导致各处电子的电势并不相同，从而各处的电子的能量也不相同，能带不再是平直的，但由于是热平衡态，费米能级仍然处处相等 达到平衡后，空间各处电子的浓度不完全等同于施主杂质的掺杂浓度，但是这种差别并不是很大即满足准电中性条件 由上式看出，由于存在非均匀掺杂，将使得半导体中产生内建电场。该内建电场与浓度梯度相关 而电场的表达式为： 因而： 小结 载流子扩散运动：由于浓度梯度引起载流子流动 * * 对载流子有两种空间运动 浓度差引起的扩散运动 1 扩散电流密度 2 半导体总电流密度方程 3 内生电场 爱因斯坦关系 光照 x A B 0 x x+Δx 由于扩散运动而形成的净电荷流动将形成电流，称为扩散电流。 引入表征扩散的物理量：