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真空光电器件 器件图片 Electron Tube公司9360KB外形 应用举例 1 应用举例 2 光阴极的主要参数 灵敏度（Sensitivity) 量子效率（Quantum efficiency） 光谱响应曲线（Spectral response） 热电子发射 光阴极的灵敏度 灵敏度（响应率）：光电流与入射光通量之比。 光照灵敏度：白光（2856K）照射下，光电流与入射 光通量的比μA/lm。 色光灵敏度：局部光谱区域积分灵敏度，用插入滤光片后的光电流与入射光通量（滤光前）之比表示。 光谱灵敏度：波长 一定的单色光照时 的灵敏度。 量子效率 量子效率(产额) 光电子数与入射光光子数之比。 若入射功率 P (W), 输出光电流I (A), 波长? (nm) 式中：S(λ) 的单位为A/W 光谱响应曲线 量子效率曲线 优良光电发射材料的条件 对光吸收系数大 体内有较多的电子受到激发 受激电子主要发生在表面附近 向表面运动过程中损失的能量少 材料的逸出功小 到达真空界面的电子能够比较容易地逸出 材料要有一定的电导率 能够通过外电源来补充因光电发射所失去的电子 半导体的光电发射 电子发射中心：价带顶 、杂质能级或导带底 电子亲和势 对应于金属的电子逸出功，也有半导体电子逸出功，其定义为 T=0K 时真空能级与电子发射中心的能级之差。 电子亲和势 导带底的电子向真空逸出时所需的最低能量，数值上等于真空能级（真空中静止电子能量）与导带底能级Ec之差。 Ea 表面电子亲和势(材料参量), Eae体内电子亲和势(随掺杂、表面能带弯曲等因素变化）。 负电子亲和势 1963年Simon首先提出负电子亲和势理论。 1965年J. J. Scheer 和Van Lear研制出GaAs-Cs负电子亲和势阴极。 利用 p-n 结耗尽区电位下降，造成表面能带向下弯曲，实现体内导带能量高于真空能级能量。 P 型硅涂薄层Cs，再处理形成 n 型Cs2O，由扩散形成耗尽区。 负电子亲和势(NEA)阴极 p-Si发射阈值 Si-Cs2O耗尽层电位下降Ed，光电子由 Si 导带底漂移到 Cs2O导带底，需克服EA2逸出。 Si-Cs2O的 p-Si需克服的有效电子亲和势： NEA阴极的特点 量子效率高 波长阈值长 GaAs负电子亲和势阴极的Eg为1.4eV 热电子发射（暗电流）较小 10-16A/cm2 真空光电管 组成：玻壳 、光电阴极和阳极。 原理：光电阴极即半导体光电发 射材料，涂于玻壳内壁， 受光照时，可向外发射光 电子。阳极是金属环或金 属网，加正的高电压，收 集从阴极发射出来的电子。 特点：灵敏度高 20～200μA/lm 暗电流小 10-14A 弛豫过程极短 工作电压较高 体积较大、容易破碎。 光电倍增管PMT 光电子通过二次电子发射体获得倍增的真空光电器件 光电倍增管的工作原理 光电倍增管的供电方式 阳极接地 屏蔽较难、与放大器耦合方便。 阴极接地 屏蔽方便、与放大器耦合难。 光电倍增管的组成 入射窗口 光电阴极 电子光学系统 电子倍增系统和阳极。 入射窗口和光电阴极 入射窗 决定透紫性能 硼硅玻璃（无钾玻璃）、透紫玻璃、石英、蓝宝石、MaF2 阴极结构 侧窗（反射式）、端窗（透射式） 电子光学系统和倍增系统 电子光学系统 作用：提高收集率ε；减小渡越时间离散性。常用结构：等电位筒+孔板、球面阴极+聚焦极 倍增系统：每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成，具有使一次电子倍增的能力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部分。 鼠笼式侧窗 PMT 侧窗式 PMT，光电阴极一般为长方形、反射式易与光谱仪器的狭缝匹配。 瓦片形倍增极，聚焦型结构，收集效率高，电子渡越时间离散小。 结构紧凑，时间响应快 直线聚焦式 PMT 端窗式 PMT，透射式光电阴极。 聚焦式结构，瓦片形倍增极交替地安置在轴向，电场使电子会聚到下一极的中心处，收集效率高，电子渡越时间离散小。 特点是时间响应很快，线性好。 盒栅式 PMT 端窗式 PMT，透射式光电阴极。 1/4圆柱面形的盒栅式倍增极，倍增极前有与其等电位的栅网用以加强入射电子吸收，防止二次电子逃逸，收集效率高。 均匀性和稳定性较好，但时间响应稍差。 百叶窗式 PMT 透射光电阴极端窗式 PMT。 平行有倾角同电位叶片的倍增极，其前有金