第三章晶体硅太阳电池的工作原理.pptVIP

设入射光垂直pn结面。如果结较浅，光 子 将 进 入 pn 结 区 ， 甚 至 更 深 入 到 半 导 体 内 部。能量大于禁带宽度的光子，由本征吸收 在结的两边产生电子-空穴对 。 由于pn结势垒区内存在较强的内建电场（自n区指向 p区），结两边的光生少数载流子受该场的作用，各自向相 反方向运动：p区的电子穿过p-n结进入n区；n区的空穴进 入p区，使p端电势升高，n端电势降低，于是在p-n结两端 形成了光生电动势，这就是p-n结的光生伏特效应。 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 由于光 照在p-n结两端产生光生电动势，相当于在p-n结两端加正 向电压 V，使势垒降低为qVD-qV，产生正向电流IF. 在pn结开路的情况下，光生电流和正向电流相等时，pn结两端建立起稳定的电势差Voc，（p区相对于n区是正的）， 这就是光电池的开路电压。如将pn结与外电路接通，只要光照 不停止，就会有源源不断的电流通过电路，p-n结起了电源的 作用。这就是光电池的基本原理。 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 为使半导体光电器 件能产生光生电动势（或光生积累电荷），它们 应该满足以下两个条件： 1、半导体材料对一定波长的入射光有足够大 的光吸收系数α，即要求入射光子的能量hν大 于或等于半导体材料的带隙Eg ，使该入射光 子能被半导体吸收而激发出光生非平衡的电 子空穴对。 2、具有光伏结构，即有一个内建电场所对应的势垒区。势垒 区的重要作用是分离了两种不同电荷的光生非平衡载流子， 在p区内积累了非平衡空穴，而在n区内积累起非平衡电子。 产生了一个与平衡pn结内建电场相反的光生电场，于是在p区 和n区间建立了光生电动势（或称光生电压）。 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 2.3太阳电池的电学特性 2.3.1标准测试条件 由于太阳电池收到光照时产生的电能与光源福照度、电池温度和照射光的光谱分布因素有关，所以在测试太阳电池的功率时，必须规定标准测试条件。目前国际上统一规定地面太阳电池的标准测试条件是： 光源福照度为：1000W/m2 测试温度：25℃ AM1.5的太阳光谱福照度分布。 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 3.3.2太阳电池等效电路 1.理想的太阳电池等效电路在等效电路中可把它看作是恒流源。光电流一部分流经负载RL，在负载两端建立起端电压V，反过来它又正向偏置于p—n结二极管，引起一股与光电流方向相反的暗电流Ibk，这样，一个理想的PN同质结太阳电池的等效电路就被绘制成如下图所示 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 当连接负载的太阳电池受到光照射是，太阳电池可看做是产生光剩电流的恒流源，与之并联的有一个处于正偏置下得二极管，通过二极管p-n结的漏电流称为暗电流，是在无光照时，由于外电压作用下p-n结内流过的电流，其方向与光生电流方向相反，会抵消部分光生电流。 流过负载两端的工作电流为光电流与暗电流之差。 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 2.实际的太阳电池等效电路 由于前面和背面的电极和接触，以及材料本身具有一定的电阻率，基区和顶层都不可避免的要引入附加电阻。流经负载的电流，经过它们时，必然引起损耗。在等效电路中，可将它们的总效果用一个串联电阻RS来表示。由于电池边沿的漏电和制作金属化电极时，在电池的微裂纹、划痕等处形成的金属桥漏电等，使一部分本应通过负载的电流短路，这种作用的大小可用一并联电阻RSh来等效。其等效电路就绘制成上图2.16（b）的形式。其中暗电流等于总面积AT与Jbk乘积，而光电流IL为电池的有效受光面积AE与JL的乘积，这时的结电压不等于负载的端电压，由图可见 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 2.3.3太阳电池的主要技术参数 1.伏安特性曲线 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 2.最大功率点 3.开路电压 当太阳电池处于开路状态时，对应光电流的大小产生电动势，这就是开路电压。 4.短路电流 太阳电池的短路电流等于其光生电流。 5.填充因子 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 6太阳电池的转换效率 转换效率表示在外电路连接最佳负载电阻R时，得到的最大能量转换效率，其定义为 即电池的最大功率输出与入射功率之比， 第三章 晶体硅太阳电池的工作原理 7.电流温度系数 8.电压温度系数 太阳电池的温度效应 载流子的扩散系数随温度的增高而增大，所以少数载流子的扩散长度也随温度的升高稍有增大，因此，光生电流JL也随温度的升高有所增加。但是J0随温度的升高是指数增大，因而VOC随温度的升高急剧下降。当温度升高时，I—V曲线形状改变，填充因子下降，所以转换效率随温度的增加而降低。 第三章 晶体硅太阳电池